[发明专利]互补型TFT器件的制作方法及OLED显示面板的制作方法

权利要求书

1.一种互补型TFT器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上形成间隔分布的第一栅极(11)、第一电极(21)以及第二电极(22)；

步骤2、在所述第一电极(21)以及第二电极(22)之间的间隔区域、以及第一电极(21)和第二电极(22)邻近所述间隔区域的部分上形成依次层叠的第二有源层(23)、第二栅极介电层(24)、以及第二栅极(25)；

步骤3、在所述基板(1)、第一栅极(11)、第一电极(21)、第二电极(22)、第二栅极(25)上覆盖第一栅极介电层(12)，对所述第一栅极介电层(12)进行图案化形成位于所述第一电极(21)上方的过孔(26)，暴露出所述第一电极(21)的一部分；

步骤4、在所述第一栅极(11)上方的第一栅极介电层(12)上形成第一有源层(13)；

步骤5、在所述第一栅极介电层(12)上形成分别与所述第一有源层(13)接触且相互间隔的第三电极(14)和第四电极(15)，所述第四电极(15)通过所述过孔(26)与第一电极(21)接触；

其中，所述第一有源层(13)与第二有源层(23)中的一个为N型沟道的有源层，另一个为P型沟道的有源层；所述第一有源层(13)与第二有源层(23)中的一个为金属氧化物半导体有源层，另一个为有机半导体有源层；

所述金属氧化物半导体有源层的制作过程包括：在待形成区域设置金属氧化物半导体前驱体溶液形成金属氧化物半导体前驱体薄膜，对所述金属氧化物半导体前驱体薄膜进行退火形成金属氧化物半导体薄膜，对所述金属氧化物半导体薄膜进行图案化形成金属氧化物半导体有源层；

所述有机半导体有源层的制作过程包括：在待形成区域设置有机半导体溶液，对所述有机半导体溶液经过烘烤后固化得到有机半导体薄膜，对所述有机半导体薄膜进行图案化得到有机半导体有源层。

2.如权利要求1所述的互补型TFT器件的制作方法，其特征在于，所述第一有源层(13)为N型沟道的金属氧化物半导体有源层，所述第二有源层(23)为P型沟道的有机半导体有源层。

3.如权利要求2所述的互补型TFT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：依次通过溶液涂布和烘烤工艺制作得到覆盖所述基板(1)、第一栅极(11)、第一电极(21)以及第二电极(22)的P型有机半导体薄膜、以及层叠于所述P型有机半导体薄膜上的有机介电材料薄膜，在所述有机介电材料薄膜上通过蒸镀工艺或溅射工艺形成覆盖有机介电材料薄膜的金属薄膜，对所述金属薄膜进行图案化，得到第二栅极(25)，以第二栅极(25)为掩膜板对所述P型有机半导体薄膜和有机介电材料薄膜同时进行干蚀刻，得到第二有源层(23)和第二栅极介电层(24)。

4.如权利要求2所述的互补型TFT器件的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：在所述第一栅极介电层(12)上涂布N型金属氧化物半导体前驱体溶液形成N型金属氧化物半导体前驱体薄膜，对所述N型金属氧化物半导体前驱体薄膜进行退火，得到N型金属氧化物半导体薄膜，对所述N型金属氧化物半导体薄膜进行图案化得到第一有源层(13)。

5.如权利要求4所述的互补型TFT器件的制作方法，其特征在于，所述N型金属氧化物半导体前驱体溶液为溶解在已腈溶剂中的金属卤化物溶液，并且在涂布N型金属氧化物半导体前驱体溶液时还通过乙二醇溶剂控制形成的N型金属氧化物半导体前驱体薄膜的厚度均一性。