[发明专利]具有重分布线结构的半导体封装件

说明书

具有重分布线结构的半导体封装件。一种半导体封装件可以包括具有位于第一有源表面上的第一接合焊盘的第一半导体芯片。该半导体封装件可以包括具有布置在第二有源表面上的第二接合焊盘的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被堆叠成使得所述第一有源表面和所述第二有源表面彼此面对。

技术领域

各种实施方式总体上可以涉及半导体封装件，并且更具体地，涉及包括重分布线结构的半导体封装件。

背景技术

如本领域中所公知的，当将存储器芯片安装至系统时，主要使用以下方法：以模块形式构造的存储器模块被安装至系统板的插座中。另外，因为系统需要高容量存储器，所以期望具有更高密度和更高速度特性的存储器模块。

在这方面，由于半导体集成技术的限制而致使难以制造具有所需容量的单个存储器芯片产品，所以当前使用了以下方法：多个存储器芯片被堆叠以创建高容量存储器。另外，为了制造高密度模块，制造了多个存储器芯片被嵌入在一个封装件中的MCP(多芯片封装)类型的封装件。

另外，重要的是减小安装在存储器模块中的封装件的电容负载，以确保系统的可靠的高速操作。

发明内容

在一个实施方式中，可以提供一种半导体封装件。该半导体封装件可以包括具有位于第一有源表面上的第一接合焊盘的第一半导体芯片。该半导体封装件可以包括具有被布置在第二有源表面上的第二接合焊盘的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被堆叠成使得所述第一有源表面和所述第二有源表面彼此面对。

在一方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有在第一有源表面的中间部分上布置成两排的第一接合焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有与所述第一半导体芯片基本上相同的尺寸，并且具有在第二有源表面的中间部分上布置成两排的第二接合焊盘；重分布线，所述重分布线形成在所述第一有源表面上，并且具有与所述第一接合焊盘联接的重分布线焊盘和布线接合焊盘；以及凸块，所述凸块分别形成在所述第二半导体芯片的所述第二接合焊盘上，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘按照相同的焊盘布置结构来设置，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被堆叠成使得所述第一有源表面和所述第二有源表面彼此面对，并且被设置成彼此偏移，并且其中，所述凸块被设置成分别与所述重分布线焊盘交叠。

在另一方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有布置在所述第一半导体芯片的第一有源表面上的第一接合焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有布置在所述第二半导体芯片的第二有源表面上的第二接合焊盘；重分布线，所述重分布线形成在所述第一有源表面上，并且具有与所述第一接合焊盘联接的重分布线焊盘和布线接合焊盘；以及凸块，所述凸块分别形成在所述第二半导体芯片的所述第二接合焊盘上，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘按照相同的焊盘布置结构来设置，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被堆叠成使得所述第一有源表面和所述第二有源表面彼此面对，并且被设置成彼此偏移，并且其中，所述凸块被设置成分别与所述重分布线焊盘交叠。

附图说明

图1是例示DIMM(双列直插式存储器模块)和常规双管芯封装件的代表示例的视图。

图2是例示根据实施方式的半导体封装件的代表示例的截面图。

图3A是例示图2中例示的半导体封装件的第一半导体芯片的代表示例的平面图。

图3B是例示沿图3A中的线A-A’截取的截面图。

图4A是例示图2中例示的半导体封装件的第二半导体芯片的代表示例的平面图。

图4B是例示沿图4A中的线B-B’截取的截面图。

图5A、图5B、图6A、图6B、图7A和图7B是根据实施方式的帮助说明半导体封装件的特性的图的代表示例。