[发明专利]实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件

权利要求书

1.一种实现高频MIS-HEMT的方法，其特征在于包括：

提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，并具有宽于第二半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；

在所述第三半导体上覆设第一介质层，并对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体；

对与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导进行减薄和表面处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻和增加其表面粗糙度，其中，所述表面处理包括：将所述与异质结构的源漏区域对应的第三半导体进行减薄后，至少在所述被减薄的第三半导体表面进行氧化处理以形成氧化层，再至少通过湿法腐蚀处理除去所述氧化层以增加所述被减薄部分的第三半导体的表面粗糙度，所述湿法腐蚀处理后的所述第三半导体的表面粗糙度为1.5～2.0nm；

在与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极与漏极；

对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的栅区域对应的所述第三半导体；

在与所述异质结构的栅区域对应的第三半导体上设置复合结构栅介质，所述复合结构栅介质包括层叠设置的第一氧化物和第二氧化物；

在所述复合结构栅介质上制作与所述异质结构连接的栅极，使所述栅极分布于源极与漏极之间，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述复合结构栅介质与所述第一介质层的厚度相等。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于包括：在所述第一介质层上设置掩模，之后对所述第一介质层进行刻蚀处理，从而暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述掩模包括光刻胶掩模。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述刻蚀处理包括反应离子刻蚀处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：在所述第三半导体上设置掩模，之后对所述第三半导体进行刻蚀处理，使所述与异质结构的源漏区域对应的第三半导体被减薄。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述掩模包括光刻胶掩模。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述刻蚀处理包括感应耦合等离子体刻蚀处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氧化处理包括以等离子清洗机清洗、以等离子体去胶机处理、以氯基等离子体处理或以UV光清洗处理中的任一种处理方式或两种以上处理方式的组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述湿法腐蚀采用的腐蚀液包括盐酸、氢氟酸、硝酸、硫酸和BOE腐蚀剂中的任意一种或两种以上的组合。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：

在与所述异质结构的栅区域对应的第三半导体及第一介质层上生长第一氧化物层，并在所述第一氧化物层上设置掩模，之后对所述第一氧化物层进行刻蚀处理，从而除去除位于栅区域对应的第三半导体上的第一氧化物层以形成所述第一氧化物；

在所述第一介质层及第一氧化物上生长第二氧化物层，并在所述第二氧化物层上设置掩模，之后对所述第二氧化物层进行刻蚀处理，从而除去除位于第一氧化物上的第二氧化物层以形成所述第二氧化物。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述刻蚀处理包括干法刻蚀或湿法腐蚀。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述干法刻蚀包括感应耦合等离子体刻蚀或BCl₃基等离子体刻蚀。