[发明专利]一种电极制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种电极制作方法，其特征在于，该方法包括：

设置金属电极层，进行图形化处理，得到金属电极结构；

采用电镀法将所述金属电极结构置于含有金属材料的电镀溶液中进行电镀，在所述金属电极结构的表面形成含有所述金属材料的保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用电镀法将所述金属电极结构置于含有金属材料的电镀溶液中进行电镀，在所述金属电极结构的表面形成含有所述金属材料的保护层具体包括：所述金属电极结构与负极导线连接、所述金属材料与正极导线连接，在清洁活化反向电流密度范围在50～60安培/平方分米、冲击电流密度范围在40～50安培/平方分米、电镀维持电流密度范围在40～55安培/平方分米以及电镀槽液工作温度范围在50～60摄氏度的情况下进行电镀。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在设置金属电极层之前，所述方法还包括，设置缓冲层。

4.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，采用权利要求1～3任一权利要求所述的方法制得下列电极之一或组合：栅极、公共电极、源极、漏极。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：采用权利要求1～3任一权利要求所述的方法制得的金属电极结构。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层包括钼铌合金，所述金属电极层的材料包括铜。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的材料包括钼。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属电极结构，包括下列电极之一或组合：栅极、源极、漏极。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求5～8任一权利要求所述的薄膜晶体管，和/或，采用权利要求1～3任一权利要求所述的方法制得的公共电极。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。