[发明专利]一种模拟GIS内壳体尖刺的装置有效

专利信息
申请号: 201710221995.8 申请日: 2017-04-06
公开(公告)号: CN106918766B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 高超;王国利;杨芸;张乔根;马径坦;吴治诚;钱利锐 申请(专利权)人: 南方电网科学研究院有限责任公司;西安交通大学
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 510663 广东省广州市萝岗区科*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 模拟 gis 壳体 尖刺 装置
【说明书】:

发明实施例提供一种模拟GIS内壳体尖刺的装置,涉及高压电试验技术领域,解决现有技术中在研究壳体尖刺放电现象时,需要打开GIS壳体调整针电极伸入到GIS壳体内的长度所出现的试验的操作效率低以及试验结果可靠性差的问题。该装置包括:GIS壳体、位于GIS壳体内部的针电极,GIS壳体上设置有开口,开口处设置有与GIS壳体固定连接的法兰,法兰与法兰盖配合形成用于密封开口的密封结构,装置还包括:针电极夹座,针电极夹座的底端插入到法兰盖的第一通孔内,与针电极连接,针电极穿过针电极夹座底端的第二通孔内设置的密封垫伸入GIS壳体内,针电极夹座的顶端位于GIS壳体外部。

技术领域

本发明涉及高压电试验技术领域,尤其涉及一种模拟GIS内壳体尖刺的装置。

背景技术

气体绝缘封闭组合电器(英文:GAS Insulated SWITCHGEAR,简称:GIS)内部充有一定压力的六氟化硫(简称:SF6)气体作为绝缘介质,具有良好的绝缘性能,被越来越广泛地用于电力系统中。由于SF6气体在电场均匀性较好时才具有较强的绝缘性能,因此工程中通常将GIS设计为同轴圆柱结构,保证内部为均匀电场。

然而,不良加工、机械破坏或组装时刮擦常引起金属尖刺,出现壳体尖刺绝缘缺陷,导致局部电场畸变,导致局部电场过高使得电场分布不均匀,使SF6气体得绝缘性能大大下降。当GIS运行过程中遭受过电压冲击时,常常由这类绝缘缺陷引发绝缘事故。因此,有必要设计一种能够真实模拟GIS内壳体尖刺的缺陷模型,以研究GIS内壳体尖刺放电的情况。现阶段研究GIS内壳体尖刺放电的缺陷模型均需要打开GIS壳体调节针电极伸入到GIS壳体内的长度。在研究壳体尖刺现象的过程中通常需要测量针电极伸入到GIS壳体内的不同长度时,GIS壳体的放电特性,若每次都打开壳体进行调整针电极伸入到GIS壳体内的长度,会使得试验的操作效率低,又因为实验需要严格的密封结构,经过多次的打开与关闭,出现部件磨损使得密封效果变差,从而导致试验结果的可靠性差。

发明内容

本发明的实施例提供一种模拟GIS内壳体尖刺的装置,解决现有技术中在研究壳体尖刺放电现象时,需要打开GIS壳体调整针电极伸入到GIS壳体内的长度所出现的试验的操作效率低以及试验结果可靠性差的问题。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

本发明实施例提供一种模拟GIS内壳体尖刺的装置,包括:GIS壳体、位于所述GIS壳体内部的针电极,所述GIS壳体上设置有开口,开口处设置有与所述GIS壳体固定连接的法兰,所述法兰与法兰盖配合形成用于密封所述开口的密封结构,所述装置还包括:针电极夹座,所述针电极夹座的底端插入到所述法兰盖的第一通孔内,与所述针电极连接,所述针电极穿过所述针电极夹座底端的第二通孔内设置的密封垫伸入所述GIS壳体内,所述针电极夹座的顶端位于所述GIS壳体外部。

可选的,所述法兰盖在所述第一通孔位置处和所述针电极夹座上设置有相互配合的第一限位件,以限定所述针电极夹座沿所述第一通孔移动的位置。

示例性的,所述第一通孔为螺纹孔,所述针电极夹座上设置有与所述螺纹孔相配合的螺纹,以形成所述第一限位件。

可选的,在所述法兰盖上的第一通孔的孔壁上设置有至少一个密封槽,所述密封槽内设置有密封圈,所述针电极夹座穿过所述密封圈,且与所述第一通孔密封连接。

示例性的,在所述法兰盖上的第一通孔的孔壁上设置两个密封槽,所述两个密封槽内均设置有密封圈,所述针电极夹座同时穿过两个密封圈,且与所述第一通孔密封连接。

可选的,所述针电极夹座为圆柱体,所述针电极夹座的顶端设置有调节槽,底端设置有与针电极配合连接的第二通孔,侧面开有顶丝孔,所述顶丝孔内设置有用于固定所述针电极的螺丝,所述针电极穿过设置在所述第二通孔内的密封垫伸入到GIS壳体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方电网科学研究院有限责任公司;西安交通大学,未经南方电网科学研究院有限责任公司;西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710221995.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top