[发明专利]一种以导电金属纳米颗粒为载体低温合成硅负极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710222528.7 申请日: 2017-04-06
公开(公告)号: CN107195896B 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 李婷;骆海立;范美强 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/36;H01M4/60;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 导电 金属 纳米 颗粒 载体 低温 合成 负极 材料 制备 方法
【说明书】:

本发明涉及一种以导电金属纳米颗粒为载体低温合成硅负极材料的制备方法,其特征在于:以导电金属纳米颗粒为载体,有机硅水解沉积二氧化硅,再与金属、低熔点盐混合、热还原,包覆聚合物,洗涤烘干,获得硅负极材料;导电金属纳米颗粒为纳米铜、纳米银、纳米铁、纳米铋、纳米锡、纳米镍、纳米钴、纳米铟、纳米钛的一种或多种;还原金属为锂、钾、钙、铷、钠、锶、钡、镧以及上述金属的合金中的一种或多种;低熔点盐为镓、锗、锡、铝、镁的氯盐、溴盐和氟盐中的一种或多种;聚合物为聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩以及上述聚合物的衍生物中的一种或多种;硅与导电金属的摩尔比(1~5)∶1;硅:还原金属:低熔点盐的摩尔比为1∶(2~5)∶(1~20);硅与聚合物前驱体的摩尔比为(5~30)∶1。该负极材料具有很好的电化学性能,在锂离子电池领域具有很好的应用前景。

技术领域

本发明属于锂离子电池材料领域,具体涉及一种以导电金属纳米颗粒为载体低温合成硅负极材料的制备方法。

背景技术

单质硅具有储锂能量密度高(理论容量高达3580mA h/g),储量丰富等优点,是非常有应用前景的锂离子电池负极材料。但硅存在单质导电性差、脱嵌锂过程中体积变化大等缺陷,导致硅因电化学性能差而无法广泛应用。目前,科研人员采用纳米材料、多孔结构和引入高电导率的碳等方法缓解硅在充放电过程中的缓解体积变化、增加硅材料的导电性,从而提高硅材料的循环性能。但纳米化和多孔结构导致了材料体积比能量密度降低,且其制备方法普遍复杂,成本高,限制了其商业化应用。

SiOx材料是一种性能较好的硅负极材料,也是目前应用最广泛的一种硅材料。理论研究发现,Li嵌入到SiOx中,会形成多种化合物,这些锂硅化合物成为Si负极体积膨胀的缓冲带,抑制硅负极的体积膨胀,从而提高了SiOx材料的循环性能。专利1(CN105789577A,一种锂离子电池用硅负极材料的制备方法及该硅负极材料)以氧化亚硅为原料、羟基化、混合石墨、高温煅烧获得硅负极材料,有效提高了硅负极材料的电化学性能。专利2(CN105406050A,一种符合硅负极材料、制备方法和用途)以纳米硅为原料,通过高温包覆硅氧化物和金属复合层、再高温包覆导电碳层;该硅负极材料容量高于1500mAh/g,300次循环后容量保持在90%以上。

显然,提高SiOx的电化学容量和循环性能是实现SiOx电极材料商业化应用的关键,目前的研究也取得喜人的成果。但高温煅烧能耗大、且产生大量废气污染环境,无形中增加了SiOx电极材料的制备成本。

发明内容

本发明目的在于提供一种以导电金属纳米颗粒为载体低温合成硅负极材料的制备方法,克服现有制备技术的缺陷,提高硅负极材料的电化学性能。为实现上述发明目的,本发明的技术方案是:一种以导电金属纳米颗粒为载体低温合成硅负极材料的制备方法,其特征在于:以导电金属纳米颗粒为载体,有机硅水解沉积二氧化硅,再与金属、低熔点盐混合、热还原,包覆聚合物,洗涤烘干,获得硅负极材料;导电金属纳米颗粒为纳米铜、纳米银、纳米铁、纳米铋、纳米锡、纳米镍、纳米钴、纳米铟、纳米钛的一种或多种;还原金属为锂、钾、钙、铷、钠、锶、钡、镧以及上述金属的合金中的一种或多种;低熔点盐为镓、锗、锡、铝、镁的氯盐、溴盐和氟盐中的一种或多种;聚合物为聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩以及上述聚合物的衍生物中的一种或多种;硅与导电金属的摩尔比(1~5)∶1;硅∶还原金属∶低熔点盐的摩尔比为1∶(2~5)∶(1~20);硅与聚合物的摩尔比为(5~20)∶1;一种以导电金属纳米颗粒为载体低温合成硅负极材料的制备方法包括:

1)称量一定质量的导电纳米颗粒分散在有机溶剂水溶液中,加入表面活性剂,超声1~20h;

其中,有机溶剂为C1~C8的醛类、羧酸类、醇类及上述有机物衍生物的一种或几种;有机物与水的体积比为(0.1~10)∶1;

2)将有机硅的乙醇溶液滴入步骤1)的产物,搅拌1~40h;温度控制在10~100℃;

其中,有机硅为硅酸酯、硅烷、氯化硅、溴化硅及上述有机物衍生物的一种或多种;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量大学,未经中国计量大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710222528.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top