[发明专利]一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路

权利要求书

1.一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，其特征在于，包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第一反相器(INV1)和保持电路，

第一NMOS管(M1)的栅极接保持电路的输出端，其漏极接第二NMOS管(M2)和第一PMOS管(M3)的栅极、第二PMOS管(M4)的漏极和单光子雪崩光电二极管(SPAD)的阳极；

第二NMOS管(M2)和第一PMOS管(M3)的漏极互连并输出雪崩电流脉冲信号(OUTb)到第一反相器(INV1)的输入端、保持电路的输入端和第二PMOS管(M4)的栅极，第一反相器(INV1)的输出端输出雪崩电流脉冲信号(OUTb)的数字信号(OUT)；

第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的源极接地，第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)的源极接电源电压(VDD)；

所述保持电路用于产生延后于雪崩电流脉冲信号(OUTb)的复位信号(REC)。

2.根据权利要求1所述的单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，其特征在于，所述保持电路包括第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、电阻(RS)、电容(C0)和或非门(NOR1)，

第二反相器(INV2)的输入端连接或非门(NOR1)的第一输入端并作为保持电路的输入端，其输出端连接第三反相器(INV3)的输入端以及第三NMOS管(MN3)和第三PMOS管(MP3)的栅极，第三反相器(INV3)的输出端连接第三PMOS管(MP3)的源极并通过电阻(RS)后接第三NMOS管(MN3)的漏极，第三NMOS管(MN3)的源极连接第三PMOS管(MP3)的漏极和或非门(NOR1)的第二输入端并通过电容(C0)后接地，或非门(NOR1)的输出端作为保持电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，其特征在于，所述保持电路中第二反相器(INV2)由第四NMOS管(MN4)和第四PMOS管(MP4)组成，第四NMOS管(MN4)和第四PMOS管(MP4)的栅极互连并作为第二反相器(INV2)的输入端，其漏极互连并作为第二反相器(INV2)的输出端，第四NMOS管(MN4)的源极接地(GND)，第四PMOS管(MP4)的源极接电源电压(VDD)；

所述第三反相器(INV3)由第五NMOS管(MN5)和第五PMOS管(MP5)组成，第五NMOS管(MN5)和第五PMOS管(MP5)的栅极互连并作为第三反相器(INV3)的输入端，其漏极互连并作为第三反相器(INV3)的输出端，第五NMOS管(MN5)的源极接地(GND)，第五PMOS管(MP5)的源极接电源电压(VDD)；

所述或非门(NOR1)由第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第六PMOS管(MP6)和第七PMOS管(MP7)组成，第六NMOS管(MN6)和第六PMOS管(MP6)的栅极互连并作为或非门(NOR1)的第一输入端，第七NMOS管(MN7)和第七PMOS管(MP7)的栅极互连并作为或非门(NOR1)的第二输入端，第六PMOS管(MP6)的漏极接第七PMOS管(MP7)的源极，第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)和第七PMOS管(MP7)的漏极相连并作为或非门(NOR1)的输出端，第六PMOS管(MP6)的源极接电源电压(VDD)，第六NMOS管(MN6)和第七NMOS管(MN7)的源极接地(GND)。