[发明专利]一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置

权利要求书

1.一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；

第一缓冲弹簧(30)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第一储液池单元上；

第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第二储液池单元上；

第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)同轴安装，且第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径；

第一储液池单元和第二储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90)，且与电极触点圆柱(90)内部连通。

2.根据权利要求1所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述第一储液池单元包括内圆环盖(50)和内圆环(80)；

所述第一缓冲弹簧(30)的下端固定于内圆环盖(50)的上表面；所述内圆环(80)固定于所述内圆环盖(50)的下表面；

所述内圆环盖(50)和内圆环(80)之间为第一储液池(81)。

3.根据权利要求2所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述内圆环(80)为圆槽状，底部均布开有多个直径相等的圆通孔，电极触点圆柱(90)安装于圆通孔内。

4.根据权利要求2或3所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述内圆环盖(50)为圆形状，上表面带有圆形凸台，圆形凸台上开有用于安装第一缓冲弹簧(30)的第三弹簧安放槽(51)和第一圆孔(52)；

第三弹簧安放槽(51)为圆环状；第一圆孔(52)位于内圆环盖(50)正中央。

5.根据权利要求4所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述第二储液池单元包括外圆环盖(60)和外圆环(70)；

所述第二缓冲弹簧(40)的下端固定于外圆环盖(60)的上表面；所述外圆环(70)固定于所述外圆环盖(60)的下表面；

所述外圆环盖(60)和外圆环(70)之间为第二储液池(71)。

6.根据权利要求5所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述外圆环(70)为圆环状凹槽，底部均布开有多个直径相等的圆通孔，电极触点圆柱(90)安装于圆通孔内。

7.根据权利要求5或6所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述外圆环盖(60)为圆环状，上表面带有圆形凸台，圆形凸台上开有安装第二缓冲弹簧(40)的第四弹簧安放槽(62)和第二圆孔(61)；

第四弹簧安放槽(62)为圆环状；第二圆孔(61)位于外圆环盖(60)边上。

8.根据权利要求7所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述电极顶盖(10)为圆盘状，下表面有圆形凸台，圆形凸台上开有安放第一缓冲弹簧(30)的第一弹簧安放槽(11)、用于安放第二缓冲弹簧(40)的第二弹簧安放槽(12)、第一导电液体导管口(13)和第二导电液体导管口(14)；

第一导电液体导管口(13)位于电极顶盖(10)的正中央；第二导电液体导管口(14)与第二圆孔(61)中心轴重合，且直径相等。

9.根据权利要求8所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，所述第一缓冲弹簧(30)上端粘接固定安装于第一弹簧安放槽(11)，下端粘接固定安放于第三弹簧安放槽(51)；

所述第二缓冲弹簧(40)上端粘接固定安装于第二弹簧安放槽(12)，下端粘接固定安放于第四弹簧安放槽(62)。

10.根据权利要求8或9所述的一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，还包括电极外套管(20)和导线；

电极外套管(20)为圆筒状，上方开口处与电极顶盖(10)固定连接；所述第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)位于电极外套管(20)内部；外圆环盖(60)和内圆环盖(50)位于电极外套管(20)内部靠下位置；

导线一端固定于内圆环盖(50)和外圆环盖(60)上，另一端连接至外部采集电路系统。