[发明专利]卡格列净有关物质的合成方法

权利要求书

1.卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：化合物A溶于溶剂中，加入催化剂，常温搅拌反应至反应完成得到化合物B；

步骤二：碘代物或溴代物溶于反应溶剂，低温下加入格氏试剂或者锂试剂，反应1-3小时，将反应液加入化合物B的溶液中反应，反应完成后乙酸溶液淬灭反应，直接蒸干得到粗品化合物C直接用于下一步反应；

步骤三：将粗品化合物C溶于溶剂，低温下加入还原剂硅烷试剂、路易斯酸，常温反应至反应完成，加入碳酸氢钠溶液淬灭反应，萃取分离，有机相直接蒸干，得到粗品卡格列净杂质Ⅰ，柱层析纯化，洗脱剂为乙酸乙酯、石油醚，其体积比为1：1，得到纯品卡格列净杂质Ⅰ；

其中，所述化合物A的结构式为：

所述化合物B的结构式为：

所述化合物C的结构式为：

所述卡格列净杂质Ⅰ的结构式为：

步骤一所述催化剂为三氟乙酸；

步骤一所述溶剂为乙酸酐；

步骤一所述常温的温度为15-35℃；

步骤二所述低温下加入格氏试剂或者锂试剂的条件为-10～10℃；

步骤三所述低温下加入还原剂硅烷试剂、路易斯酸的条件为0℃；

步骤三所述常温反应的反应温度为10～20℃。

2.根据权利要求1所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：至少满足以下任意一项：

步骤一化合物A与催化剂的摩尔比为1:1～5；

步骤一化合物A与乙酸酐的质量比为1:5～1:9；

步骤一所述的反应时间为2-10h。

3.根据权利要求2所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：步骤一化合物A与催化剂的摩尔比为1:2～3。

4.根据权利要求2所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：步骤一化合物A与乙酸酐的质量比为1:5～1:6。

5.根据权利要求2所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：步骤一所述的反应时间为2-3h。

6.根据权利要求1所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：至少满足以下任意一项：

步骤二加入格氏试剂或者锂试剂反应的反应时间为2小时；

步骤二所述反应溶剂为甲苯、四氢呋喃、乙醚、正己烷、1，4-二氧六环；

步骤二所述反应溶剂的溶剂用量为碘代物与溶剂的质量比为1:1～5；

步骤二所述反应溶剂的含水量低于千分之五；

步骤二所述格氏试剂或者锂试剂采用三甲基硅基锂、正丁基锂、异丙基氯化镁氯化锂、仲丁基氯化镁氯化锂；

步骤二所述碘代物与锂试剂或格氏试剂的摩尔比为1:1～5；所述碘代物为2-(4-氟苯

基)-5-[(5-碘-2-甲基苯基)甲基]噻吩；

步骤二所述的起始物料溴代物与锂试剂或格氏试剂的摩尔比为1:1～5；所述溴代物：2-(4-氟苯基)-5-[(5-溴-2-甲基苯基)甲基]噻吩；

步骤二所述反应在惰性气氛条件下进行；

步骤二所述碘代物或溴代物溶于反应溶剂，低温下加入格氏试剂或者锂试剂的低温反应条件为：反应温度为0～10℃；

步骤二所述将化合物B加入反应液的反应条件为：反应温度为-20～-78℃；

步骤二所述用乙酸溶液淬灭反应，所述乙酸溶液的浓度为5％-10％；乙酸溶液用量以控制反应液的pH值为6～7即可；

步骤二反应的反应时间为3-8h。

7.根据权利要求6所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：步骤二所述反应溶剂的溶剂用量为碘代物与溶剂的质量比为1:2～3。

8.根据权利要求6所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：步骤二所述反应溶剂为甲苯。

9.根据权利要求8所述的卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：甲苯用量为碘代物与甲苯的质量比为1:1～5。