[发明专利]一种制备大面积不开裂胶体光子晶体膜的方法有效

专利信息
申请号: 201710225398.2 申请日: 2017-04-07
公开(公告)号: CN107119327B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 陈苏;朱志杰;张静 申请(专利权)人: 南京捷纳思新材料有限公司
主分类号: C30B29/58 分类号: C30B29/58;G02B1/00;C09K11/88
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 徐冬涛;袁正英
地址: 210034 江苏省南京市栖霞区仙林大学城*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 大面积 开裂 胶体 光子 晶体 方法
【权利要求书】:

1.一种制备大面积不开裂胶体光子晶体膜的方法,其具体步骤如下:将水性聚氨酯分散到胶体粒子溶液中;然后以配制成的均相溶液为涂膜液,用丝棒在亲水基底上刮涂出胶体光子晶体膜;最后在胶体光子晶体膜的表面用旋涂仪旋涂出一层量子点;其中所述的涂膜液是胶体粒子和聚氨酯的混合水溶液;其中涂膜液中胶体粒子的质量浓度为25%-35%,聚氨酯的质量浓度为1%-5%;所述的旋涂仪旋涂所用的溶液为CdTe量子点和PVA的混合水溶液,其中CdTe量子点在混合水溶液中的质量分数为0.1%-1%,PVA在混合水溶液中的质量分数为0.5%-2%;所述的胶体粒子是表面羧基改性的单分散聚苯乙烯胶体微球;表面羧基改性的单分散聚苯乙烯微球的粒径范围180nm-300nm,单分散系数为1%-5%;所刮涂出的胶体光子晶体膜的禁带位置位于510nm-620nm。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于CdTe量子点的发射峰在510nm-620nm之间。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于旋涂仪的旋涂速度为1000rpm-2500rpm,时间为30s-60s。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述的亲水基底为玻璃、硅片或塑料中的一种。

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