[发明专利]一种碳纳米纤维的制备方法有效
| 申请号： | 201710225480.5 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107119347B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张志勇;寇璐;闫军峰;赵武;贠江妮;翟春雪;李展 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | D01F9/127 | 分类号： | D01F9/127 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 碳纳米纤维 制备 化学气相沉积 制备碳纳米 纤维 铜膜 退火 磁控溅射法 生长碳纳米 均一性 两步法 气流量 溅射 升高 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳纳米纤维的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，
第一步，采用磁控溅射法在衬底上溅射一层铜膜；
第二步，采用化学气相沉积法在铜膜上生长碳纳米纤维，化学气相沉积法的条件包括：在Ar气流量600sccm环境下衬底温度逐渐升高，衬底温度在0-800℃时升温速率为6℃/min-8℃/min，衬底温度在800℃-1000℃时升温速率为2℃/min-3℃/min，当衬底温度达到1000℃时，先通入H2，再通入10sccm的CH4的同时调节H2流量为100sccm，Ar气流量为1000sccm，最后退火降温得到碳纳米纤维；
所述第一步中衬底采用含Si衬底；
所述含Si衬底包括未抛光的、清洗后的Si片；
所述第一步磁控溅射法条件包括：溅射压强为1Pa，溅射功率为100W，溅射时间为2h，衬底温度为500℃。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第二步先通入H2的通入时间为20min，H2流量为60sccm。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第二步通入的CH4时间为20min。
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