[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

本发明公开一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。

技术领域

本发明涉及一种具有设置于基板上的薄膜晶体管(TFT)的显示装置及其制造方法，特别是涉及一种具有不同半导体材料的主动层的复合薄膜晶体管(hybrid TFT)结构及其制造方法。

背景技术

目前，有利用发光二极管(LED)与有机发光二极管(OLED)技术制作的显示器，对于该种显示器来说，其需要高分辨率、更小尺寸、以及更稳定的具有较低功率与较低mura缺陷的晶体管。

由于具有较非晶硅高的载流子迁移率、低制作工艺处理温度、以及光学透明度，金属氧化物半导体已用于该种装置的制造。然而，由金属氧化物半导体所制作的薄膜晶体管对氢含量是敏感的，其中层与层之间的氢往往通过扩散方法进入半导体层，导致薄膜晶体管稳定性受到影响，容易受到电压/光偏置情况下导致晶体管起始电压偏移。

因此，开发一种不易受现有技术中的氢杂质问题影响的薄膜晶体管及其制造方法是需要的。

发明内容

因此，本发明是关于一种具有复合薄膜晶体管(hybrid TFT)结构的显示装置及其制造方法。本发明的优点与特征描述如下。

根据本发明的一实施例，提供一种显示装置，包括：一基板；一第一薄膜晶体管，在该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，在该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。

根据本发明的另一实施例，提供一种显示装置，包括：一基板；一第一薄膜晶体管，在该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，在该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，以及该第一栅绝缘层的材料不同于该第二栅绝缘层的材料，其中该第二主动层的材料包括金属氧化物，以及该第二栅绝缘层的材料包括氧化硅。

在一实施例中，该第二主动层的材料包括金属氧化物。

在一实施例中，该第二栅绝缘层的氢浓度(hydrogen concentration)低于或等于5原子百分比，以及高于或等于0原子百分比。

在一实施例中，该第一栅绝缘层的氢浓度高于5原子百分比，以及低于10原子百分比。

在一实施例中，该第一栅绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的至少其中之一，以及该第二栅绝缘层的材料包括氧化硅或氮氧化硅的至少其中之一。

在一实施例中，该第一栅绝缘层与该第二栅绝缘层重叠。