[发明专利]图形光罩连接孔缺陷检查测试结构及方法

权利要求书

1.一种图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法，包括:

步骤一：提供一衬底，进行阱离子和源漏离子注入；

其特征在于，还包括以下步骤：

步骤二：在步骤一形成的结构上形成金属硅化物层并光刻形成孔或者沟槽，在所述孔或者沟槽内沉积金属硅化物阻止层；

步骤三：在所述金属硅化物层上沉积金属层，在所述金属硅化物阻止层上沉积第一介电质层；

步骤四：在步骤三形成的结构上沉积第二介电质层，在所述第二介电质层中形成连接孔，所述连接孔底部与所述金属层接触，在所述连接孔内沉积金属形成金属栓。

2.如权利要求1所述的图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法，其特征在于，在所述连接孔内沉积的金属为铜，在所述连接孔内沉积金属形成金属栓。

3.如权利要求1所述的图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法，其特征在于，步骤一中阱离子和源漏离子注入为无光阻遮挡的离子注入。

4.如权利要求3所述的图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法，其特征在于，步骤一中阱离子注入之后使得所述衬底形成N阱区或P阱区，并对形成的结构进行退火。

5.如权利要求3所述的图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法，其特征在于，步骤一中源漏离子注入为P型掺杂或者N型掺杂。

6.一种图形光罩连接孔缺陷检查方法，包括提供一测试结构，其特征在于，采用如权利要求1～5中任意一项所述的图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法制作所述测试结构，还包括在所述测试结构的连接孔内沉积金属形成金属栓，并使所述测试结构经过电子束扫描后，在扫描电镜下观察连接孔缺陷，所述连接孔缺陷对应的图形光罩上的连接孔图案则为图形光罩连接孔缺陷。

7.如权利要求6所述的图形光罩连接孔缺陷检查方法，其特征在于，在扫描电镜下观察连接孔缺陷的方法为记录每个连接孔反射回的电子量。

8.如权利要求6所述的图形光罩连接孔缺陷检查方法，其特征在于，还包括将扫描电镜下观察到的连接孔缺陷输入晶圆检测仪中的模拟分析软件中，根据曝光条件，对每个连接孔缺陷作权重计算，根据工艺精度，确定要找出图形光罩连接孔缺陷个数G，在权重计算中，将分值最高的前G个连接孔标记为缺陷连接孔，所述G个缺陷连接孔对应在图形光罩上的连接孔图案则为图形光罩连接孔缺陷。