[发明专利]一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜在审
申请号: | 201710225973.9 | 申请日: | 2017-04-08 |
公开(公告)号: | CN106876637A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 钟玲珑 | 申请(专利权)人: | 深圳市佩成科技有限责任公司 |
主分类号: | H01M2/14 | 分类号: | H01M2/14;H01M2/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ti3c2tx pvdf celgard 复合 隔膜 | ||
1.一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜,包括商用Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/PVDF层组成,所述的Ti3C2Tx/PVDF层的厚度为1~10μm,所述的Ti3C2Tx/PVDF层中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为1:0.01-0.1。
2.一种如权利要求1所述的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜的制备方法,其特征在于,包括以下几个步骤:
步骤(1)将 Ti3AlC2陶瓷粉末放入氢氟酸中腐蚀,腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理,然后将沉淀物烘干,得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体;
步骤(2)将PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮中,搅拌溶解,形成PVDF溶液;
步骤(3)将Ti3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌均匀,形成的浆料,再将浆料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中氢氟酸的浓度为20%-50%,腐蚀的时间为4-24小时。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中PVDF与N-甲基吡咯烷酮的质量比为1:10-100,搅拌时间为1-12小时。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为1:0.01-0.1,搅拌时间为1-12小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市佩成科技有限责任公司,未经深圳市佩成科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710225973.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无线存储装置及其数据同步的方法
- 下一篇:流量限速方法和装置