[发明专利]耐磨耐蚀Cr/CrAlSiN复合涂层、其制备方法与应用有效
申请号: | 201710228561.0 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN108690983B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 王永欣;毛春龙;叶育伟;毛金根;刘孟奇;陈善俊;王立平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;江苏金晟元特种阀门股份有限公司 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C8/36;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/06;C01B21/082 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋;王茹 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐磨 cr cralsin 复合 涂层 制备 方法 应用 | ||
1.一种耐磨耐蚀Cr/CrAlSiN复合涂层的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
对基体表面进行离子渗氮处理和/或离子刻蚀处理,其中,所述离子渗氮处理包括:将表面洁净的基体置入镀膜设备的腔体,并通入氮气,所述氮气的流量为1000~1200sccm,工作气压控制在8~10Pa,在基体上施加-800~-1000V负偏压,温度控制在450~500℃,渗氮处理时间为2~4h;所述离子刻蚀处理包括:将基体置入镀膜设备的腔体,并将所述腔体抽真空至3×10-3Pa~5×10-3Pa,再将基体加热至400℃~450℃,之后利用Ar离子体对施加负偏压的基体表面进行刻蚀,所述离子刻蚀处理的条件包括:高纯Ar流量控制在100~300sccm,选择Cr靶为直流电源,设定靶电流为50~70A,在-900~-1200V偏压下持续轰击基体表面5~10min;
将经过离子渗氮处理和/或离子刻蚀处理的基体置于镀膜设备的腔体内,选用Cr靶,靶电流设定为40~100A,在基体上施加-20~-50V负偏压,控制加热温度为400℃~450℃,氩气流量保持为300sccm~350sccm,沉积时间为0.5h~1h,从而于所述基体表面沉积形成所述Cr层;
将表面沉积有所述Cr层的基体置于镀膜设备的腔体内,选用Cr及AlSi靶,所述AlSi靶材中Al:Si含量为9:1~1:1,靶电流设定为40~100A,基体上施加-20~-50V的负偏压,控制加热温度为400℃~450℃,氩气流量保持为0~100sccm,氮气流量为500sccm ~700sccm,沉积时间为2h~4h,从而于沉积形成CrAlSiN涂层,形成所述复合涂层;
所述耐磨耐蚀Cr/CrAlSiN复合涂层包括依次形成于基体上的结合层和耐磨耐蚀层,所述结合层采用Cr层,所述耐磨耐蚀层采用CrAlSiN层,所述复合涂层的厚度为5μm~20μm,所述Cr层的厚度为0.2μm~1μm,所述CrAlSiN层的厚度为4.8μm~19μm,所述CrAlSiN层具有非晶纳米晶结构,并包含面心立方结构CrN相、AlN强化相及非晶态Si3N4相,所述非晶态Si3N4相包裹所述CrN相和AlN强化相,所述CrAlSiN层中的CrN相含量为10~20wt%,AlN相含量为6~10wt %,Si3N4相含量为15~45wt %。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述CrAlSiN层的Si含量为2at.%~10at.%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于包括:对基体表面进行表面清洁处理,之后对洁净的基体表面依次进行离子渗氮处理和离子刻蚀处理。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述表面清洁处理包括:依次以除油剂和一种以上有机溶剂对所述基体表面进行超声清洗,直至基体表面洁净。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述基体为金属基体。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述金属基体包括硬质合金。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述金属基体包括不锈钢。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述高纯氩气的纯度在99%以上。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述Cr靶及AlSi靶的纯度均在99.9%以上。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述氮气的纯度在99.9%以上。
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