[发明专利]DC磁控溅射设备和方法

权利要求书

1.一种用于在基底上沉积膜的DC磁控溅射设备，所述DC磁控溅射设备包括：

腔室；

放置在所述腔室内的基底支撑件；

DC磁控管；以及

用于提供电偏压信号的电信号供应装置，在使用期间所述电偏压信号致使离子轰击放置在所述基底支撑件上的基底；

其中，所述基底支撑件包括被边缘区域环绕的中心区域，所述中心区域相对于所述边缘区域是凸起的。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述基底支撑件包括：从所述边缘区域通向所述中心区域的台阶。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述台阶具有在0.1mm至1.0mm范围内，优选在0.2mm至0.5mm范围内的高度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中，所述中心区域限定基本上平整的高台区域。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中，所述电信号供应装置供应RF偏压信号。

6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述DC磁控管是脉冲式DC磁控管。

7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，所述设备包括旋转装置，用于在膜沉积期间使所述基底旋转。

8.一种用于在基底上沉积膜的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述基底放置在腔室内的基底支撑件上；以及

利用DC磁控溅射工艺在所述基底上沉积所述膜，在所述DC磁控溅射工艺中，电偏压信号致使离子轰击所述基底；

其中，所述基底支撑件包括被边缘区域环绕的中心区域，所述中心区域相对于所述边缘区域是凸起的，以及所述基底被放置在所述中心区域，从而所述基底的一部分覆盖所述边缘区域并且与所述边缘区域间隔开。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述膜是金属氮化物膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述膜是氮化铝膜。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述膜是(002)取向的氮化铝膜。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述膜是二元金属氮化物膜，优选是AlScN膜。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其中，所述电偏压信号产生DC偏压。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述电偏压信号是RF偏压信号。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的方法，其中，所述基底延伸超过所述边缘区域。

16.根据权利要求8至15中任一项所述的方法，其中，在沉积所述膜期间，旋转所述基底。