[发明专利]一种阵列基板、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一栅极电极层，形成在所述基板上；

第一绝缘层，覆盖在所述第一栅极电极层上；

沟道层，形成在所述第一绝缘层上；

源极和漏极电极层，形成在所述沟道层上；

第二绝缘层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极和漏极电极层及所述沟道层上；

间隔设置的像素电极层和第二栅极电极层，形成在所述第二绝缘层上；

其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极电极层通过所述第一绝缘层和第二绝缘层的通孔与所述第一栅极电极层连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道层包括：

半导体层，形成在所述第一绝缘层上，包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层临近所述第一绝缘层的一侧连通，其另一侧部分间隔；

P型硅掺杂层，形成在所述半导体层上，包括第一P型硅掺杂层和第二P型硅掺杂层，所述第一P型硅掺杂层和所述第二P型硅掺杂层间隔设置，且所述第一P型硅掺杂层覆盖在所述第一半导体层上，所述第二P型硅掺杂层覆盖在所述第二半导体层上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第一金属层，设置在所述基板上且覆盖有所述第一绝缘层；以及

第二金属层，形成于所述第一绝缘层上且覆盖有所述第二绝缘层；

第三金属层，形成于所述第二绝缘层上且通过所述第一绝缘层、第二绝缘层与所述第一金属层连接；

所述第一金属层、第二金属层及第三金属层形成三层并联结构的电容。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在一衬底基板上依次形成第一栅极电极层、第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成沟道层；

在所述沟道层上依次形成源极和漏极电极层、第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成间隔的像素电极层和第二栅极电极层，其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成像素电极层和第二栅极电极层，包括：

在所述第二绝缘层上开洞形成通往所述源极和漏极电极层的第一接触孔和经所述第一绝缘层和第二绝缘层通往所述第一栅极电极层的第二接触孔；

在所述第一接触孔和第二接触孔上分别沉积透明金属层以形成像素电极层和第二栅极电极层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在一衬底基板上依次形成间隔的第一栅极电极层、第一绝缘层，包括：

在一衬底基板上形成第一栅极电极层和第一金属层；

在所述衬底基板、第一栅极电极层和第一金属层上沉积二氧化硅和/或氮化硅形成第一绝缘层；

所述在所述沟道层上依次形成源极和漏极电极层、第二绝缘层，包括：

在所述沟道层上依次形成源极和漏极电极层，以及在所述第一绝缘层形成第二金属层；

在所述沟道层、源极和漏极电极层和所述第二金属层上形成第二绝缘层；

所述在所述第二绝缘层上形成像素电极层和第二栅极电极层，包括：

在所述第二绝缘层上形成间隔的像素电极层、第二栅极电极层及第三金属层，其中，所述第三金属层利用经所述第一绝缘层和第二绝缘层通往所述第一金属层的第三接触孔与所述第一金属层连接。

8.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成沟道层，包括：

在所述第一绝缘层上沉积非晶硅层；

采用等离子体化学气相沉积法在所述非晶硅层上形成硼掺杂的非晶硅层；

采用快速热退火方法将所述非晶硅层转化为多晶硅层，得到半导体层；

将所述硼掺杂的非晶硅层转化为硼掺杂的多晶硅层，得到P型硅掺杂层；

对所述P型硅掺杂层进行完全沟道蚀刻；

对所述半导体层进行部分沟道蚀刻。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至4任一项所述的阵列基板，或者包括权利要求5至8中任意一项方法所制备的阵列基板。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为主动矩阵有机发光二极体AMOLED或TFT LCD显示装置。