[发明专利]晶片托架的调平机构、晶片升降机构及反应腔室在审
| 申请号： | 201710229439.5 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108695228A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 史全宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑定位件 调平螺钉 调平机构 晶片托架 反应腔室 球状凹部 球状凸部 升降机构 升降轴 调平 晶片 对称分布 工艺效率 螺纹连接 上端面 可调 片托 种晶 贯穿 配合 | ||
1.一种晶片托架的调平机构，用于将所述晶片托架固定在升降轴的上端，并能够调节所述晶片托架的晶片承载面的水平度，其特征在于，包括至少三个调平螺钉和支撑定位件，其中，
所述至少三个调平螺钉以所述支撑定位件为中心对称分布，每个所述调平螺钉贯穿所述晶片托架，并与所述升降轴螺纹连接；
所述支撑定位件与所述晶片托架固定连接，并且在所述升降轴的上端面形成有球状凹部；所述支撑定位件包括球状凸部，所述球状凹部与所述球状凸部相配合。
2.根据权利要求1所述的晶片托架的调平机构，其特征在于，所述球状凹部在竖直方向上的最大深度小于所述球状凸部在竖直方向上的最大长度。
3.根据权利要求1所述的晶片托架的调平机构，其特征在于，所述球状凸部为半球体。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的晶片托架的调平机构，其特征在于，所述支撑定位件还包括柱状连接部，所述柱状连接部与所述所述晶片托架固定连接；
所述球状凸部设置在所述柱状连接部的下端，且相对于所述晶片托架的下表面凸出。
5.根据权利要求4所述的晶片托架的调平机构，其特征在于，在所述柱状连接部的外周壁形成有外螺纹；在所述晶片托架上形成有螺纹孔，所述柱状连接部通过所述外螺纹与所述螺纹孔相配合。
6.根据权利要求1所述的晶片托架的调平机构，其特征在于，所述支撑定位件位于所述升降轴的中心。
7.一种晶片升降机构，包括晶片托架、升降轴和驱动源，所述升降轴竖直设置，且所述升降轴的下端与所述驱动源连接，所述升降轴的上端通过调平机构与所述晶片托架连接，其特征在于，所述调平机构采用权利要求1-6任意一项所述的调平机构。
8.根据权利要求7所述的晶片升降机构，其特征在于，所述晶片托架包括环形支架，在所述环形支架上设置有沿其周向对称分布的多个支撑柱，用以承载晶片。
9.根据权利要求7所述的晶片升降机构，其特征在于，所述驱动源包括升降气缸或者升降电机。
10.一种反应腔室，其特征在于，包括权利要求7-9任意一项所述的晶片升降机构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
