[发明专利]TFT基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。所述TFT基板包括：依次层叠设置的衬底基板、TFT层、钝化层、以及像素电极，其中，所述像素电极包括：主电极、以及用于将主电极电性连接到TFT层上的连接电极，所述主电极为米字型的狭缝电极，所述连接电极包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极、以及连接所述多个第一分支电极的第二分支电极，通过在连接电极中设置多个条状的第一分支电极，使连接电极形成与主电极相似的形状，进而主电极区域和连接电极区域在曝光时形成相似的单缝衍射，进而减少或消除3M制程中像素电极区域的光阻层厚度差异，避免显示不良，提升3M制程良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

现有的TFT基板的制作方法已从最初的7光罩(7Mask)技术逐渐发展到4光罩(4Mask，4M)技术，4个光罩分别用于形成：图案化的栅极、图案化的有源层和源/漏极、像素电极过孔、及图案化的像素电极，与此同时，为了进一步减化TFT基板的制作工艺，缩短生产时间，提升生产效率，3光罩技术(3Mask，3M)也已经开始在部分产品上开始使用，采用3光罩技术制作TFT基板的制程过程一般包括：在衬底基板上通过第一道光罩制程制作图案化的栅极，在所述栅极和衬底基板上覆盖栅极绝缘层，通过第二道光罩制程同时制作图案化的有源层和源/漏极，在所述有源层和源/漏极上覆盖钝化层，通过第三道光罩制程在所述钝化层上制作像素电极过孔，通过氧化铟锡剥离(ITO Lift Off)工艺制作图案化的像素电极。其中，第二道光罩与第三道光罩均为灰阶光罩(Gray Tone Mask，GTM)或半色调光罩(Half Tone Mask，HTM)。

具体地，在3光罩技术的第三道光罩制程包括：在所述钝化层上涂布光阻层，通过第三道光罩对所述光阻层进行曝光显影，去除待形成像素电极过孔处的全部光阻层，去除待形成像素电极的区域的部分光阻层，接着通过蚀刻形成像素电极过孔，进行光阻灰化，去除待形成像素电极的区域剩余光阻层，溅射像素电极薄膜，通过氧化铟锡剥离工艺剥离剩余的光阻层和多余的像素电极薄膜，形成图案化的像素电极。

然而，请参阅图1，现有的TFT基板中像素电极包括：主电极101以及连接所述主电极101和TFT的漏极201的连接电极102，所述连接电极102通过一像素电极过孔301连接TFT的漏极201，如图1所示，所述主电极101为米字型的狭缝(Silt)像素电极，而连接电极102为连续不间断的整面电极，因此，在进行对光阻层曝光显影时，主电极101处会产生单缝衍射，导致曝光显影后的待形成连接电极102的区域剩余的光阻厚度小于待形成主电极101的区域的剩余的光阻层厚度，进而导致待形成连接电极102的区域剩余的光阻层容易在后续的像素过孔刻蚀制程时被一起刻蚀掉，导致待形成连接电极102的区域失去光阻层的保护，引起制程不良。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板，能够减少或消除3M制程过程中像素电极区域的光阻层厚度差异，避免显示不良，提升3M制程良率。