[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；

将半导体层图案化以形成初步有源图案；

对初步有源图案的两个侧壁进行氧化以在所述两个侧壁上分别形成氧化物层，其中,在形成所述氧化物层的同时，在初步有源图案中形成上部图案；以及

去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案，

其中，上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：

在将半导体层图案化之前，在该半导体层上形成掩模图案，所述掩模图案限定了初步有源图案的位置，

其中，掩模图案保护初步有源图案的顶表面，使得初步有源图案的顶表面不被氧化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化物层包括所述第一半导体材料的氧化物，并且

其中，所述第二半导体材料聚集在初步有源图案的特定部分中，以在形成氧化物层时形成上部图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将半导体层图案化的步骤包括：将半导体层以及衬底的上部图案化，以形成限定初步有源图案的沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，去除置于所述一对上部图案之间的半导体图案的步骤包括：利用半导体图案与上部图案之间的刻蚀速度之差，通过刻蚀处理来选择性地去除半导体图案。

6.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

形成从衬底突出的底部图案；

形成覆盖衬底上的底部图案的半导体层；

将半导体层氧化，以形成氧化物层并且在氧化物层与衬底之间以及氧化物层与底部图案之间形成沟道半导体层；

将沟道半导体层图案化，以分别在底部图案的两个侧壁上形成一对沟道半导体图案；以及

去除底部图案的置于沟道半导体图案之间的部分，以形成包括所述一对沟道半导体图案的有源图案，

其中，底部图案包括第一半导体材料，并且

其中，半导体层包括所述第一半导体材料和不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，氧化物层包括所述第一半导体材料的氧化物，并且

其中，所述第二半导体材料聚集在氧化物层下方或聚集在氧化物层的侧旁，以在形成氧化物层时形成沟道半导体层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，将半导体层氧化的步骤包括：执行至少一次处理循环，并且

其中，所述处理循环包括顺序执行的氧化过程和热处理过程。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成底部图案的步骤包括：

在衬底上形成掩模图案；以及

使用掩模图案作为刻蚀掩模对衬底的上部进行刻蚀，以形成限定底部图案的沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成沟槽之后，掩模图案余留在底部图案的顶表面上，并且

其中，半导体层形成为覆盖掩模图案的顶表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，沟道半导体层包括：

在氧化物层下方形成在衬底中的第一部分；

在氧化物层的侧旁形成在底部图案中的第二部分；以及

形成在氧化物层与掩模图案之间的第三部分，

其中，所述第二部分的至少一部分与掩模图案重叠。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，将沟道半导体层图案化的步骤包括：对衬底的整个顶表面执行各向异性刻蚀处理，并且

其中，在所述各向异性刻蚀处理期间，完全地去除氧化物层以及所述第一部分和所述第三部分，而保留所述第二部分以使所述第二部分形成在沟道半导体图案中。