[发明专利]一种五面发光的量子点夹层CSP背光源及其制作方法

权利要求书

1.一种五面发光的量子点夹层CSP背光源，包括发光的倒装芯片，其特征在于，还包括包裹在倒装芯片上端与四周的内透明胶水层，所述内透明胶水层包裹有量子点胶水层，所述量子点胶水层包裹有外透明胶水层；所述量子点胶水层为溶有量子点荧光粉的封装胶水固化形成的。

2.如权利要求1所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源，其特征在于，通过上端与四周向外发光。

3.如权利要求1中所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源，其特征在于，所述内透明胶水层为高折射率的透明胶水层，高折射率透明胶的折射率为1.50～1.55，材质为环氧树脂或有机硅胶。

4.如权利要求1中所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源，其特征在于，所述外透明胶水层的材质为环氧树脂或有机硅胶。

5.如权利要求1所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源，其特征在于，所述倒装芯片为掺杂In的GaN蓝光芯片，具有发出蓝光的能力；量子点荧光粉具有吸收蓝光，并激发更长波长的光；芯片的蓝光和量子点荧光粉激发出的光混合成白光。

6.如权利要求1所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源，其特征在于，所述量子点荧光粉为BaS、AgInS₂、NaCl、Fe₂O₃、In₂O₃、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(S_xSe_1-x)、BaTiO₃、PbZrO₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃中的至少一种。

7.如权利要求1所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源，其特征在于，所述量子点荧光胶体还溶有YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉或β-SiAlON。

8.如权利要求1-7任意向所述的五面发光的量子点夹层CSP背光源的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将倒装芯片放于载板上；

S2：配制量子点荧光胶，将量子点红粉和绿粉溶于甲苯，再倒入封装胶水中，充分混合后，去除甲苯，得到量子点荧光胶；

S3：在倒装芯片上方涂敷荧光胶体；

S4：将涂敷荧光胶体的倒装芯片放入模具中；

S5：通过热压成型设备，将量子点荧光胶体与倒装芯片真空压合成型，使量子点荧光胶体固化；

S6：模具剥离胶体，重复S1～S5，多次重复热压成型，得到多层封装胶水；

S7：最终，形成五面发光的量子点夹层CSP背光源；

S8：将量子点CSP背光源与载板分离。