[发明专利]空气隙的形成方法、NAND闪存及其形成方法

权利要求书

1.一种空气隙的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上形成若干间隔的栅极结构；

形成牺牲层，所述牺牲层填充多个所述栅极结构之间的间隙；

形成薄膜层，所述薄膜层覆盖所述衬底、所述牺牲层以及所述栅极结构，在垂直于所述栅极结构的方向上，所述薄膜层覆盖所述栅极结构以及所述牺牲层，在经过所述栅极结构且平行于所述栅极结构的方向上，所述薄膜层覆盖所述栅极结构的顶面，且在所述栅极结构的边缘，所述薄膜层覆盖所述栅极结构的侧壁以及所述栅极结构两侧暴露出的衬底，在不经过所述栅极结构但平行于所述栅极结构的方向上，所述薄膜层覆盖所述牺牲层，且在所述牺牲层的边缘，所述薄膜层覆盖所述牺牲层的侧壁以及所述牺牲层两侧暴露出的所述衬底；

去除所述牺牲层两侧的衬底上的所述薄膜层，暴露出所述牺牲层沿平行于所述栅极结构的方向的两端的侧壁，在垂直于所述栅极结构的方向上，保留所述薄膜层，在经过所述栅极结构且平行于所述栅极结构的方向上，去除所述薄膜层后暴露出所述栅极结构的侧壁，在不经过所述栅极结构但平行于所述栅极结构的方向上，去除所述薄膜层且暴露出所述牺牲层的侧壁，以形成刻蚀的通道；

通过所述刻蚀的通道去除所述牺牲层，以在每相邻两个所述栅极结构之间形成空气隙。

2.如权利要求1所述的空气隙的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为氧化物、氮化物、光刻胶或碳。

3.如权利要求2所述的空气隙的形成方法，其特征在于，采用远程等离子体清洗工艺去除材质为光刻胶的所述牺牲层。

4.如权利要求3所述的空气隙的形成方法，其特征在于，所述远程等离子体包含有微波。

5.如权利要求2所述的空气隙的形成方法，其特征在于，采用蒸汽清洗的方法去除材质为氧化物的所述牺牲层。

6.如权利要求5所述的空气隙的形成方法，其特征在于，所述蒸汽包括HF或H₃PO₄。

7.如权利要求1所述的空气隙的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次形成于所述衬底上的浮栅、介质层及控制栅。

8.如权利要求7所述的空气隙的形成方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层。

9.如权利要求7所述的空气隙的形成方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之前，在所述栅极结构的侧壁、顶壁以及多个所述栅极结构之间的衬底上形成侧墙。

10.如权利要求1所述的空气隙的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：

在所述衬底上沉积牺牲材料，所述牺牲材料覆盖多个所述栅极结构以及多个所述栅极结构之间的间隙；

对所述牺牲材料进行平坦化，暴露出所述栅极结构的上表面。

11.如权利要求10所述的空气隙的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层两侧的衬底上的所述薄膜层，暴露出所述牺牲层的侧壁的步骤包括：

在所述衬底上沉积光刻胶层；

通过曝光与显影暴露出所述牺牲层两侧的薄膜层；

通过刻蚀去除暴露出的所述薄膜层，暴露出所述牺牲层的侧壁；

通过刻蚀去除残留的所述光刻胶层。

12.如权利要求11所述的空气隙的形成方法，其特征在于，所述显影采用KrF或ArF作为显影液；采用CxFy对所述薄膜层进行刻蚀，其中x、y均为大于等于1的正整数。

13.如权利要求12所述的空气隙的形成方法，其特征在于，采用所述薄膜层对所述光刻胶层刻蚀速率选择比为1：1～10:1的CxFy对所述薄膜层进行刻蚀。