[发明专利]一种碳‑硅复合材料、其制备方法及用途在审

专利信息
申请号: 201710233263.0 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN106848268A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 孔一鸣;任建国 申请(专利权)人: 深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 巩克栋
地址: 518106 广东省深圳市光明*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合材料 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种碳-硅复合材料,其特征在于,所述碳-硅复合材料包括碳基底、催化剂以及附着在碳基底上的纳米级的硅颗粒和/或硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的碳-硅复合材料,其特征在于,所述碳基底为无机碳材料,优选为天然球形石墨、天然鳞片石墨、人造石墨、软碳、硬碳、中间相碳微球、石墨烯、导电石墨或碳纳米管中的任意一种或至少两种的组合;

优选地,所述催化剂为过渡金属单质和/或过渡金属化合物;

优选地,所述催化剂为氯化铁、氯化亚铁、氯化铜、氯化镍、硝酸铁、硝酸镍、硝酸铜、醋酸铁、醋酸铜、醋酸镍、铁单质、铜单质或镍单质中的任意一种或至少两种的组合;

优选地,所述硅颗粒的直径为1nm~200nm,优选为1nm~50nm;

优选地,所述硅薄膜的厚度为1nm~200nm。

3.根据权利要求1或2所述的碳-硅复合材料,其特征在于,以所述碳-硅复合材料的总质量为100%计,所述纳米级的硅颗粒和/或硅薄膜的质量百分含量为1%~80%。

4.如权利要求1-3任一项所述的碳-硅复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

(1)配制有机添加剂和催化剂的分散液;

(2)将碳基底和步骤(1)的分散液混合后烘干;

(3)将步骤(2)的产物投入到化学气相沉积CVD反应炉中,在保护性气体的保护下升温,升温至反应温度后通入硅源,反应,得到碳-硅复合材料;

优选地,所述反应炉为回转式CVD反应炉。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述有机添加剂为聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氯乙烯、聚丙烯腈、聚乙炔、葡萄糖、蔗糖、海藻酸、海藻酸钠、柠檬酸、柠檬酸钠、羧甲基纤维素、羰丙基纤维素、壳聚糖、淀粉或明胶中的任意一种或至少两种的混合物;

优选地,步骤(1)所述有机添加剂和催化剂的分散液中,有机添加剂和催化剂的质量比为1:10~2:1;

优选地,步骤(2)所述碳基底和步骤(1)的分散液中的催化剂的质量比为3:1~10:1;

优选地,所述方法还包括在步骤(2)之后步骤(3)之前对烘干得到的产物进行粉碎得到粉末的步骤。

6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述CVD反应炉为双气路或单气路中的任意一种;

优选地,步骤(3)所述保护性气体为非氧化性气体,优选为氮气、氩气、氢气、氢氩混合气中的任意一种;

优选地,步骤(3)所述保护性气体的通入速度为5sccm~100sccm;

优选地,步骤(3)所述硅源为硅基化合物,优选为硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、硅氯仿、硅乙烷或一氯硅乙烷中的任意一种或至少两种的混合物;

优选地,步骤(3)所述硅源的通入速度为0.2L/min~10L/min;

优选地,步骤(3)所述硅源的浓度为1v%~80v%;

优选地,步骤(3)所述反应温度为250℃~800℃;

优选地,步骤(3)所述反应的过程中,回转式CVD反应炉的工作转速为1r/min~10r/min;

优选地,步骤(3)所述反应的时间为0.5h~6h,优选为3h。

7.一种包覆型碳硅复合材料,其特征在于,所述包覆型碳硅复合材料是对权利要求1-3任一项所述的碳-硅复合材料进行碳包覆并烧结得到的;

优选地,所述包覆型碳硅复合材料中,硅的质量百分含量为1%~80%,碳的质量百分含量为20%~99%;

优选地,所述碳包覆采用的方法包括化学气相沉积、碳源固相混合或碳源液相混合中的任意一种。

8.一种堆积型碳硅复合材料,其特征在于,所述堆积型碳硅复合材料是采用权利要求1-3任一项所述的碳-硅复合材料进行二次造粒并烧结得到的;

优选地,所述堆积型碳硅复合材料中,硅的质量百分含量为1%~80%,碳的质量百分含量为20%~99%;

优选地,所述二次造粒采用的方法包括VC加热、融合球化、喷雾干燥或液压机压片中的任意一种。

9.一种负极,其特征在于,所述负极包含权利要求1-3任一项所述的碳-硅复合材料、权利要求7所述的包覆型碳硅复合材料或权利要求8所述的堆积型碳硅复合材料中的任意一种或至少两种的组合。

10.一种锂离子电池,其特征在于,所述锂离子电池包含权利要求8所述的负极。

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