[发明专利]一种交联纳米颗粒薄膜及制备方法与薄膜光电子器件有效
申请号: | 201710233270.0 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN108695137B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L33/00;H01L29/786;H01L31/08 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交联 纳米 颗粒 薄膜 制备 方法 光电子 器件 | ||
1.一种交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
步骤A、将纳米颗粒分散在溶剂中,并搅拌均匀,得到纳米颗粒溶液;
步骤B、通过溶液法将纳米颗粒溶液制成纳米颗粒薄膜,并通入组合气体,促使交联反应发生,得到交联纳米颗粒薄膜;
所述组合气体包括还原性气体、氧气、水汽和二氧化碳;
所述还原性气体为一氧化碳、氢气和氨气中的一种。
2.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,还原性气体偏压控制在1~100Pa之间,氧气偏压控制在0~2×104Pa之间,水汽偏压控制在0~2×103Pa之间,二氧化碳偏压控制在0~100Pa之间。
3.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤A中,所述纳米颗粒溶液的质量浓度为1~100mg/ml。
4.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述纳米颗粒为氧化物纳米颗粒、硫化物纳米颗粒、硒化物纳米颗粒、氮化物纳米颗粒、氟化物纳米颗粒中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述纳米颗粒的平均直径控制在5nm以内。
6.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述溶剂为醇类溶剂。
7.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤B具体包括:
步骤B1、首先将纳米颗粒溶液置于密闭的环境中,通过溶液法将纳米颗粒溶液制成纳米颗粒薄膜;
步骤B2、然后往密闭的环境中通入组合气体,促使交联反应发生,得到交联纳米颗粒薄膜。
8.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤B具体包括:
步骤B1’、首先将纳米颗粒溶液置于惰性气体环境中,通过溶液法将纳米颗粒溶液制成纳米颗粒薄膜;
步骤B2’、然后将纳米颗粒薄膜置于密闭的环境中,往密闭的环境中通入组合气体,促使交联反应发生,得到交联纳米颗粒薄膜。
9.根据权利要求1所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤B中,所述交联纳米颗粒薄膜的厚度为15~60nm。
10.一种交联纳米颗粒薄膜,其特征在于,采用如权利要求1~9任一项所述的交联纳米颗粒薄膜的制备方法制备而成。
11.一种薄膜光电子器件,其特征在于,包括如权利要求10所述的交联纳米颗粒薄膜。
12.根据权利要求11所述的薄膜光电子器件,其特征在于,所述薄膜光电子器件为电致发光器件、薄膜光伏、薄膜光探测器、薄膜晶体管中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造