[发明专利]用于背照式（BSI）图像传感器的焊盘结构

权利要求书

1.一种焊盘结构，包括：

半导体衬底，包括焊盘开口；

互连结构，位于所述半导体衬底下方，其中，所述互连结构包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列，其中，所述布线层和所述接触通孔阵列位于所述层间介电层中，并且其中，所述接触通孔阵列直接位于所述焊盘开口下方、位于所述布线层和所述半导体衬底之间；以及

覆盖所述接触通孔阵列的焊盘，位于所述焊盘开口中，其中，所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触所述层间介电层和所述布线层。

2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其中，所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触位于所述接触通孔阵列的相对侧上的所述层间介电层，并且以接触位于所述接触通孔阵列的所述相对侧上的所述布线层。

3.根据权利要求1所述的焊盘结构，其中，所述接触通孔阵列包括布置为多行和多列的多个接触通孔，并且其中，所述接触通孔共用共同的覆盖区。

4.根据权利要求3所述的焊盘结构，其中，所述接触通孔是岛型通孔，所述岛型通孔的每个均具有相同的长度和宽度。

5.根据权利要求1所述的焊盘结构，其中，所述接触通孔阵列包括布置为多行和单列或布置为多列和单行的多个接触通孔，并且其中，所述接触通孔为槽型通孔，所述槽型通孔是横向伸长的并且所述槽型通孔的每个均具有比所述焊盘的长度大的长度。

6.根据权利要求1所述的焊盘结构，其中，所述接触通孔阵列包括布置为多行和多列的多个岛型通孔和多个槽型通孔。

7.根据权利要求6所述的焊盘结构，其中，所述接触通孔阵列沿着第一轴在所述岛型通孔和所述槽型通孔之间交替，并且其中，所述槽型通孔沿着正交于所述第一轴的第二轴跨越多行或多列。

8.根据权利要求7所述的焊盘结构，其中，所述接触通孔阵列沿着所述第二轴在所述岛型通孔和所述槽型通孔之间交替。

9.根据权利要求1所述的焊盘结构，其中，所述互连结构包括在所述层间介电层中交替堆叠的多个布线层和多个通孔，其中，所述多个布线层包括所述布线层，并且其中，所述多个通孔包括所述接触通孔阵列。

10.根据权利要求1所述的焊盘结构，进一步包括：

浅沟槽隔离(STI)区域，位于所述半导体衬底中、直接位于所述接触通孔阵列和所述焊盘之间，其中，所述焊盘穿过所述浅沟槽隔离区域突出。

11.根据权利要求1所述的焊盘结构，进一步包括：

焊盘介电层，填充所述焊盘周围的所述焊盘开口，其中，所述焊盘介电层将所述焊盘与所述焊盘开口的侧壁横向间隔开，所述焊盘开口的所述侧壁由所述半导体衬底限定，其中，所述焊盘介电层部分地覆盖所述焊盘并且所述焊盘介电层由所述焊盘部分地覆盖，并且其中，所述焊盘介电层包括暴露所述焊盘的顶面的第二焊盘开口。

12.一种用于制造焊盘结构的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的第一侧上形成层间介电(ILD)层；

在所述层间介电层中形成接触通孔阵列；

形成覆盖位于所述半导体衬底的所述第一侧上的所述接触通孔阵列和所述层间介电层的互连结构，其中，所述互连结构包括与所述接触通孔阵列邻接并且电连接至所述接触通孔阵列的布线层；

对所述半导体衬底的与所述第一侧相对的第二侧实施蚀刻，以形成覆盖所述接触通孔阵列的焊盘开口；以及

在所述焊盘开口中形成覆盖所述接触通孔阵列的焊盘，其中，所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触所述层间介电层和所述布线层。