[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成多晶硅层和保护层图案，所述保护层覆盖所述多晶硅层；

进行第一次离子注入处理，使离子穿过所述保护层注入到所述多晶硅层中，形成重掺杂区域；

灰化处理后进行第二次离子注入处理，形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成多晶硅层和保护层图案，所述保护层覆盖所述多晶硅层，包括：

在基底上依次沉积缓冲层、非晶硅薄膜和保护薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行处理，使所述非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜；

通过构图工艺形成多晶硅层和保护层图案，所述保护层的图案与所述多晶硅层的图案相同。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述进行第一次离子注入处理，使离子穿过保护层注入到所述多晶硅层中，形成重掺杂区域包括：

在形成有多晶硅层和保护层图案的基底上，涂覆光刻胶，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版进行阶梯曝光并显影，在未掺杂区域位置形成未曝光区域，在轻掺杂区域形成部分曝光区域，在包括重掺杂区域的其余位置形成完全曝光区域；

进行第一次离子注入处理，使离子穿过所述保护层注入到完全曝光区域的多晶硅层中，形成重掺杂区域。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述灰化处理后进行第二次离子注入处理，形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案包括：

光刻胶灰化处理，去除部分曝光区域的光刻胶；

进行第二次离子注入处理，使离子注入到部分曝光区域的多晶硅层中，形成轻掺杂区域；

剥离剩余的光刻胶，形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在进行第二次离子注入处理之前，还包括刻蚀掉完全曝光区域和部分曝光区域的保护层的处理。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在剥离剩余的光刻胶后之后，还包括刻蚀掉未曝光区域的保护层的处理。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮化硅/氧化硅的复合薄膜，厚度为5nm～20nm。

8.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于，还包括：形成栅电极和源漏电极图形，包括：

依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅电极；

沉积第二绝缘层，通过构图工艺形成绝缘层过孔；

沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成源漏电极，源漏电极通过绝缘层过孔与多晶硅有源层的重掺杂区域连接。

9.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管采用如权利要求1～8任一所述的制备方法制备。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜晶体管。