[发明专利]一种沟槽金属－氧化物半导体及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，包括：

栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。

2.根据权利要求1所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，还包括多晶硅层，且多晶硅层将栅极沟槽淀设满。

3.根据权利要求1或2所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，所述栅极沟槽设于N-型外延层内，N-型外延层的一侧淀设有N型基片。

4.根据权利要求3所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，还包括：源极沟槽，源极沟槽设于N-型外延层内；源极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，源极沟槽通过多晶硅淀设满，且源极沟槽与相邻栅极沟槽之间的N-型外延层的上方淀设有与源极沟槽的底部同等厚度的栅氧化物层。

5.根据权利要求4所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，N-型外延层的顶部源极沟槽及栅极沟槽之间通过杂质注入形成沟道注入层，沟道注入层内部设有通过源区注入及杂质激活形成的源区注入层。

6.根据权利要求1所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，栅极沟槽两侧设有接触孔，源极沟槽内部的多晶硅层内设有接触孔，接触孔的底部设于沟道注入层且穿过源区注入层，接触孔内淀积第一金属，且第一金属上方淀设第二金属，第二金属层与栅氧化物层之间淀设有介质层。

7.一种制备如权利要求1至6中任意一项所述的沟槽金属－氧化物半导体的制备方法,其特征在于，包括以下步骤：

沟槽上生长一层较厚的氧化层，形成栅氧，该栅氧化层淀设于沟槽的槽底及槽壁；

淀积光刻胶，将沟槽内填充满；

光刻胶进行半曝光，通过调节曝光能量，使沟槽内底部的光刻胶保留；

氧化层刻蚀，沟槽内光刻胶上方的氧化层被去除，沟槽底部的氧化层保留；

除光刻胶，并生长氧化层，在沟槽上方及沟槽之间内再生长一层更薄的栅氧化层。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于，还包括以下步骤：

淀积多晶硅，对沟槽内部及栅氧化层外侧淀设多晶硅，并将沟槽内部淀设满，并对多晶硅进行重掺杂，降低电阻率；

刻蚀掉多余的多晶硅，使多晶硅表面与源区表面相平，但沟槽内的多晶硅保留，形成MOSFET的栅极。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于，还包括以下步骤：

沟道注入区光刻、注入，并进行退火，得到沟道区杂质分布，形成注入沟道区；

进行源区光刻、注入，并进行退火，激活杂质,形成注入源区；

淀积介质层，介质层淀设在栅氧化层的外侧；

去除介质层，进行接触孔光刻，并进行接触孔注入，淀积一层金属填充源极接触孔和栅极接触孔，并去除表面多余金属，形成源极和栅极。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于，还包括以下步骤：

淀积第二层金属并进行光刻、刻蚀，形成MOSFET引出电极；

淀积钝化层，进行光刻、刻蚀，将第二层金属表面的钝化层去除，留出封装打线接触的引出孔。