[发明专利]采用薄膜封装的显示装置有效
申请号: | 201710236856.2 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107170775B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 贾龙昌;苏聪艺 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 薄膜 封装 显示装置 | ||
1.一种采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,包括:
阵列基板;
电致发光结构,设置于所述阵列基板之上,所述电致发光结构包括光提取层;
光学补偿层,设置于所述电致发光结构的所述光提取层之上,所述光学补偿层包括第一补偿层和第二补偿层,所述第二补偿层位于所述第一补偿层背离所述电致发光结构的表面,所述第一补偿层的折射率大于所述第二补偿层的折射率并且所述第一补偿层的折射率大于所述光提取层的折射率;
所述第一补偿层与所述第二补偿层的折射率之差等于所述光提取层和真空之间的折射率之差;
薄膜封装层,包括第一膜层,所述第一膜层设置于所述第二补偿层背离所述第一补偿层的表面。
2.根据权利要求1所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述第一补偿层与所述第二补偿层的折射率之差的范围为0.8至0.9。
3.根据权利要求1所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述光提取层、所述第一补偿层、所述第二补偿层和所述第一膜层沿远离所述阵列基板的方向依次叠置。
4.根据权利要求1所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述第一补偿层的折射率范围为2.0至3.0,所述第二补偿层的折射率范围为1至1.6。
5.根据权利要求1所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述第一膜层的折射率大于所述第二补偿层的折射率。
6.根据权利要求1所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述光提取层的折射率范围为1.8至2.2,所述第一膜层的折射率范围为1.6至1.8。
7.根据权利要求1至6之任一项所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述电致发光结构还包括依次设置的阳极层、有机发光材料层和阴极层,所述阳极层与所述阵列基板的薄膜晶体管连接,所述阴极层背离所述有机发光材料层的表面设置有所述光提取层。
8.根据权利要求7所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述阳极层为全反射阳极层。
9.根据权利要求1至6之任一项所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述第一补偿层的构成材料包括TiO2、Ti3O5、Ti2O3、TiO、Al2O3、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Nb2O5、ZnO、CeO2、ZnS、ZnSe中的一种或多种的组合。
10.根据权利要求1至6之任一项所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述第二补偿层的构成材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或氧化铝薄膜。
11.根据权利要求1至6之任一项所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述第一补偿层的厚度范围为1nm至100nm,所述第二补偿层的厚度为1nm至100nm。
12.根据权利要求1至6之任一项所述的采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,所述光提取层的厚度为10nm-100nm,所述第一膜层的厚度为500nm至1000nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的