[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板(10)，所述衬底基板(10)具有多个阵列排布的子像素区域(SP)；在所述衬底基板(10)上制作薄膜晶体管(T)及存储电容(C)；

步骤2、在所述薄膜晶体管(T)及存储电容(C)上依次形成钝化层(30)、色阻层(40)、及平坦层(50)；

步骤3、对钝化层(30)、色阻层(40)、平坦层(50)进行刻蚀，形成贯穿钝化层(30)、色阻层(40)、平坦层(50)的过孔(51)，在所述平坦层(50)上沉积并图案化形成像素电极(60)；

步骤4、提供一半色调光罩(90)，所述半色调光罩(90)包括与薄膜晶体管(T)对应的第一透光区(91)、与存储电容(C)对应的第二透光区(92)、包围第一透光区(91)及第二透光区(92)且对应相邻子像素区域(SP)的交界区域的第三透光区(93)、及除第一、第二、第三透光区(91、92、93)以外的遮光区(94)；所述第一透光区(91)与第二透光区(92)的透光率相同，第一透光区(91)的长度及宽度均大于第二透光区(92)的长度及宽度，第三透光区(93)的透光率小于第一透光区(91)的透光率；

步骤5、在所述平坦层(50)及像素电极(60)上涂布黑色光阻材料，通过半色调光罩(90)对所述黑色光阻材料进行曝光、显影得到BPS遮光层(70)；所述BPS遮光层(70)包括遮挡相邻子像素区域(SP)的交界区域的黑色矩阵(71)、位于黑色矩阵(71)上且对应位于薄膜晶体管(T)上方的主光阻间隔物(72)、位于黑色矩阵(71)且对应位于存储电容(C)上方的辅助光阻间隔物(73)，所述主光阻间隔物(72)的高度大于辅助光阻间隔物(73)的高度；

所述薄膜晶体管(T)的高度大于存储电容(C)的高度；

所述平坦层(50)对应薄膜晶体管(T)处的上表面距离衬底基板(10)上表面之间的距离大于平坦层(50)对应存储电容(C)处的上表面距离衬底基板(10)上表面之间的距离；

所述薄膜晶体管(T)与储存电容(C)的高度差大于0.3μm。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在所述衬底基板(10)上沉积第一金属层并图案化形成栅极(211)、及与所述栅极(211)间隔的第一金属电极(212)；

步骤12、在所述栅极(211)、第一金属电极(212)及衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(22)，在所述栅极绝缘层(22)上沉积并图案化形成对应位于所述栅极(211)上方的有源层(23)；

步骤13、在所述有源层(23)及栅极绝缘层(22)上沉积第二金属层并图案化形成与有源层(23)两侧分别接触的源极(241)及漏极(242)、及位于第一金属电极(212)上方的第二金属电极(243)；

所述栅极(211)、栅极绝缘层(22)、有源层(23)、源极(241)、及漏极(242)共同构成薄膜晶体管(T)，所述第一金属电极(212)、栅极绝缘层(22)、及第二金属电极(243)共同构成存储电容(C)；

所述步骤3中，所述过孔(51)暴露出漏极(242)，像素电极(60)经由过孔(51)与漏极(242)接触。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述平坦层(50)对应薄膜晶体管(T)处的上表面与对应存储电容(C)处的上表面之间的高度差为0.1-0.2μm。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透光区(91)与第二透光区(92)的透光率均为90％-100％。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第三透光区(93)的透光率为20％-30％。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透光区(91)与第二透光区(92)的形状均为正方形。

7.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述主光阻间隔物(72)与辅助光阻间隔物(73)的高度差为0.3-0.6μm。

8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述平坦层(50)的材料为聚四氟乙烯。