[发明专利]一种降低PTC冲击电流的集成电路有效
申请号: | 201710237669.6 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107027195B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 邱桥 | 申请(专利权)人: | 深圳乐桥电子有限公司 |
主分类号: | H05B1/02 | 分类号: | H05B1/02;H05B3/14 |
代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 赵正寅 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 ptc 冲击 电流 集成电路 | ||
1.一种降低PTC冲击电流的集成电路,其特征在于,包括IG1和IG2两个用于PTC加热器的IGBT芯片,还包括型号为2ED020I12-F2的IGBT驱动芯片,所述IGBT驱动芯片设置有INHS+引脚、INLS+引脚、INHS-引脚、INLS-引脚、VCC1HS引脚、VCC1LS引脚、OUTLS引脚和OUTHS引脚;所述INHS+引脚和INLS+引脚分别连接单片机的第一输出端PWM_IG1和第二输出端PWM_IG2;所述VCC1HS引脚和VCC1LS引脚分别连接第一电源VCC1和第二电源VCC2;所述OUTHS引脚连接第一电阻R73的第一端,第一电阻R73的第二端连接IG1的基极;所述IG1的集电极连接第一插口J7,IG1的发射极接地设置;所述OUTLS引脚连接第二电阻R74的第一端,第二电阻R74的第二端连接IG2的基极;所述IG2的集电极连接第二插口J8,IG2的发射极接地设置;所述INHS-引脚和INLS-引脚均接地设置。
2.根据权利要求1所述的一种降低PTC冲击电流的集成电路,其特征在于,所述IGBT驱动芯片还设置有RDYHS引脚、RDYLS引脚、/FLTHS引脚、/FLTLS引脚、/RSTHS引脚、/RSTLS引脚、和若干个GND1引脚,所述RDYHS引脚连接该集成电路的准备信号RDY;所述/FLTHS引脚和/FLTLS引脚分别连接该集成电路中IG1与IG2的故障反馈信号FAULT1和FAULT2;所述/RSTHS引脚和/RSTLS引脚分别连接该集成电路中IG1与IG2的复位信号RST_IG1和RST_IG2;所述第一电源VCC1还分别连接第三电阻R111、第四电阻R112和第五电阻R113的第一端,第三电阻R111的第二端连接/FLTLS引脚,第四电阻R112的第二端连接/FLTHS引脚,第五电阻R113的第二端分别连接RDYHS引脚和RDYLS引脚;所述第一电源VCC1还分别通过第一电容C71和第二电容C16连接两个接地设置的GND1引脚。
3.根据权利要求1或2所述的一种降低PTC冲击电流的集成电路,其特征在于,所述IGBT驱动芯片还设置有VCC2HS引脚、VEE2LS引脚、DESATLS引脚、GND2LS引脚、VCC2LS引脚、CLAMPLS引脚、DESATHS引脚、VEE2HS引脚、GND2HS引脚和CLAMPHS引脚,所述VCC2HS引脚和VCC2LS引脚分别连接第三电源和第四电源,第三电源与第四电源分别通过第三电容C17和第四电容C18接地设置;所述VEE2HS引脚、VEE2LS引脚、GND2HS引脚和GND2LS引脚均接地设置;所述DESATHS引脚连接第六电阻R50的第一端,第六电阻R50的第二端分别连接第四电容C76的第一端和第一二极管D13的正极,第一二极管D13的阴极连接第二二极管D15的正极,第二二极管D15的阴极分别连接IG1的集电极和第五电容C78的第一端,第四电容C76与第五电容C78的第二端分别接地设置;所述DESATLS引脚分别连接第六电容C77的第一端和第三二极管D14的正极,第三二极管D14的阴极连接第四二极管D16的正极,第四二极管D16的阴极连接第七电容C79的第一端,第七电容C79和第六电容C77的第二端分别接地设置;所述DESATHS引脚与DESATLS引脚还分别通过第八电容C72和第九电容C74接地设置。
4.根据权利要求3所述的一种降低PTC冲击电流的集成电路,其特征在于,所述IG1的基极还分别连接第十电容C73的第一端、第七电阻R40的第一端和第一稳压管TV1的阴极;所述第十电容C73的第二端、第七电阻R40的第二端与第一稳压管TV1的正极均接地设置;所述IG2的基极还分别连接第十一电容C75的第一端、第八电阻R41的第一端和第二稳压管TV2的阴极;所述第十一电容C75的第二端、第八电阻R41的第二端与第二稳压管TV2的正极均接地设置。
5.根据权利要求1所述的一种降低PTC冲击电流的集成电路,其特征在于,所述IG1和IG2的型号均为K40H1203。
6.根据权利要求1所述的一种降低PTC冲击电流的集成电路,其特征在于,所述IG1和IG2上均设置有散热金属片。
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