[发明专利]压电微机电系统

权利要求书

1.一种用于形成微机电系统(MEMS)装置的方法，其包含：

在衬底上形成介电层；

在该介电层上形成压电堆栈，其中，该压电堆栈包含第一底电极、位在该第一底电极上的第一压电层、位在该第一压电层上的第二底电极、位在该第一压电层上的电极垫，以及位在该第一压电层、该第二底电极及该电极垫上的第二压电层，

图案化该第二压电层、该电极垫及该第一压电层以形成该第一底电极上方的第一贯孔，该第一贯孔完全地延展穿过该第二压电层及该电极垫，并且部分地穿过该第一压电层；

图案化该第二压电层以形成该第二底电极上方的第二贯孔，该第二贯孔部分地延展穿过该第二压电层；

通过蚀刻程序将该第一贯孔完全地延展穿过该第一压电层至该第一底电极，并且将该第二贯孔完全地延展穿过该第二压电层至该第二底电极；

形成该第一贯孔中的第一接触，该第一接触电耦合至该第一底电极，以及

形成该第二贯孔中的第二接触，该第二接触电耦合至该第二底电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中，通过干蚀刻形成该第二贯孔，并且其中，该第一贯孔及该第一贯孔中的该第一接触由该电极垫所围绕。

3.如权利要求1所述的方法，更包含：

在该第二压电堆栈上形成顶电极层；以及

图案化该顶电极层以形成耦合至该第一接触的第一顶电极、及耦合至该第二接触的第二顶电极。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该第一顶电极与该第二顶电极包含铝铜(AlCu)。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该第一底电极与该第二底电极包含钼(Mo)。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一压电层与该第二压电层包含氮化铝(AlN)。

7.如权利要求1所述的方法，其中，通过第一干蚀刻形成该第一贯孔。

8.如权利要求7所述的方法，其中，于形成该第一贯孔后，通过第二干蚀刻形成该第二贯孔。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻程序为湿蚀刻。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该湿蚀刻包含氢氧化四甲基铵(TMAH)湿蚀刻。

11.如权利要求8所述的方法，其中，该蚀刻程序为湿蚀刻。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该湿蚀刻包含氢氧化四甲基铵(TMAH)的湿蚀刻。

13.如权利要求1所述的方法，更包含在该衬底之后侧形成凹穴以将该压电堆栈悬挂。

14.一种微机电系统(MEMS)装置，其包含：

具有第一主表面与第二主表面的衬底；

位在该衬底的至少该第一主表面上的介电层；

位在该介电层上的压电堆栈，其中，该压电堆栈包含第一底电极、位在该第一底电极上的第一压电层、位在该第一压电层上的电极层中的第二底电极与电极垫，以及位在该第一压电层、该第二底电极及该电极垫上的第二压电层；以及

位在该压电堆栈中的第一接触与第二接触，其中，

该第一接触于第一贯孔中穿过该第二压电层、该电极垫及该第一压电层延展，并且电耦合至该第一底电极，该第一贯孔及该第一接触由该电极垫所围绕，以及该第二接触于第二贯孔中穿过该第二压电层延展，并且电耦合至该第二底电极。

15.如权利要求14所述的微机电系统(MEMS)装置，更包含：

位在耦合至该第一接触的该第一压电层上的第一顶电极；以及

位在耦合至该第二接触的该第二压电层上的第二顶电极。