[发明专利]集成电路及其制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，所述集成电路包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件，所述方法包括：

在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，所述栅极沟槽的纵轴沿平行于所述第一主表面的第一方向延伸；

形成沿与所述第一主表面平行的第二方向延伸的源极接触槽(S110)，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述源极接触槽沿着所述多个栅极沟槽延伸；

形成源极区(S120)，包括通过穿过所述源极接触槽的侧壁引入掺杂剂来执行掺杂过程；

在所述源极接触槽中填充牺牲材料(S130)；之后

形成所述逻辑电路元件的部件(S140)；

然后，从所述源极接触槽去除所述牺牲材料(S150)；以及

在所述源极接触槽中填充源极导电材料(S160)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述逻辑电路元件的部件包括形成晶体管的部件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述晶体管的部件包括形成源极区和漏极区。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括形成各自接触所述栅极沟槽中的相应的一个栅极沟槽中的导电材料的栅极接触件。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述栅极接触件、到所述源极导电材料的接触件、以及到所述逻辑电路元件的部件的接触插塞通过联合过程形成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括形成场板沟槽，其中，所述场板沟槽、所述栅极沟槽和所述源极接触槽通过联合蚀刻过程形成。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括形成场氧化物层以给所述场板栅沟槽做衬里，其中，所述场氧化物层填充所述栅极沟槽和所述源极接触槽。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括在形成所述栅极沟槽之前形成场板沟槽。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在形成所述栅极沟槽之前形成场氧化物层。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在形成所述多个栅极沟槽之前，在所述半导体衬底的区域中形成第一导电类型的第一掺杂部，其中，所述栅极沟槽和所述源极接触槽形成在所述第一掺杂部中。

11.一种形成包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件的集成电路的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S200)，其中，所述栅极沟槽的纵轴沿平行于所述第一主表面的第一方向延伸；

形成沿与所述第一主表面平行的第二方向延伸的漏极接触槽(S210)，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述漏极接触槽沿着所述多个栅极沟槽延伸；

形成漏极区(S220)，包括通过穿过所述漏极接触槽的侧壁引入第一导电类型的掺杂剂来执行掺杂过程；

在所述漏极接触槽中填充牺牲材料(S230)；之后

形成所述逻辑电路元件的部件(S240)；

然后从所述漏极接触槽去除所述牺牲材料(S250)；以及

在所述漏极接触槽中填充导电材料(S260)。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述半导体衬底的区域中形成第二导电类型的第二掺杂部(S270)，

其中，所述栅极沟槽和所述漏极接触槽形成在所述第二导电类型的所述第二掺杂部中。