[发明专利]一种过温过压保护电路在审
申请号: | 201710241385.4 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN108303580A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 曹木群 | 申请(专利权)人: | 深圳市三诺电子有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165;G01K7/22 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压检测装置 过压保护电路 温度检测装置 电源输入端 正负电源 电源输出装置 输出直流电源 电源输出端 负极 检测输入 控制电源 输入电压 直流电源 判读 检测 | ||
1.一种过温过压保护电路,其特征在于,包括电源输入端、控制开关(1)、控制开光(2)、电压检测装置、温度检测装置、电源输出端;
所述电源输入端输入的是直流电源的正负电源输入;
所述控制开光(1)通过所述电压检测装置判读输入电压的高低而打开或关闭;
所述控制开光(2)是控制电源负极的打开和关闭;
所述电压检测装置检测输入电压是否超出最高阀值;
所述温度检测装置检测PCB板线路的温度是否超出最高温度;
所述电源输出装置输出直流电源的正负电源。
2.如权利要求1所述的过温过压保护电路,其特征在于,所述电压检测装置包括两个串联电阻(R1)、(R3),所述电阻(R3)与控制开关(1)并联;所述温度检测装置包括正温度系数热敏电阻(RT1)和电阻(R2),所述电压检测装置和所述温度检测装置并联;所述控制开光(1)和控制开光(2)分别为场效应管(Q1)和场效应管(Q2)。
3.如权利要求2所述的过温过压保护电路,其特征在于,场效应管(Q1)两端电压高于导通电压,即变为导通状态,从而降低场效应管(Q2)的G极电压,使(Q2)转为关闭状态,从而关闭电源输出;场效应管(Q1)两端电压低于导通电压,即为绝止状态,场效应管(Q2)导通,电源正常输出。
4.如权利要求2所述的过温过压保护电路,其特征在于,随着温度升高,正温度系数热敏电阻(RT1)的阻值增大,从而降低场效应管(Q2)的G极电压,使(Q2)转为关闭状态,从而关闭电源输出。
5.如权利要求2所述的过温过压保护电路,其特征在于,所述电阻(R1)、电阻(R3)的阻值、所述输入电压和所述场效应管(Q1)的导通电压之间满足:[R3/(R1+R3)]*输入电压<所述场效应管(Q1)的导通电压时,所述场效应管(Q1)的导通电压为绝止状态;当输入电压≥最高阀值时,所述场效应管(Q1)的导通。
6.如权利要求2所述的过温过压保护电路,其特征在于,达到所述最高温度时,所述电阻(RT1)的阻值与所述电阻(R2)、所述输入电压、所述场效应管(Q2)的导通电压之间满足:[R2/(RT1+R2)]*输入电压=所述场效应管(Q2)的绝止电压。
7.如权利要求2所述的过温过压保护电路,其特征在于,所述场效应管(Q2)的S极接电源负极的输入端,D极接电源负极的输出。
8.如权利要求2所述的过温过压保护电路,其特征在于,所述场效应管(Q1)、场效应管(Q2)的G极电压或栅极电压根据所述最高阀值和最高温度调整。
9.如权利要求1所述的过温过压保护电路,其特征在于,所述控制开光(1)和/或控制开关(2)为开关三极管或MOS管。
10.如权利要求9所述的过温过压保护电路,其特征在于,所述控制开光(1)和/或控制开关(2)是PMOS管,所述PMOS管控制电源正极;或控制开光(1)和/或控制开关(2)是NMOS管,所述NMOS管控制电源负极。
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