[发明专利]一种低成本射频差分放大器有效
申请号: | 201710241889.6 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107046408B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 戴若凡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F3/45 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 射频 差分放大器 | ||
1.一种低成本射频差分放大器,包括:
输入巴伦,用于利用两个子巴伦将输入的射频单端信号RFIN从不平衡方式转换为平衡方式输出以得到差分射频电路所需的差分信号,该输入巴伦的第一子巴伦、第二子巴伦平行放置且两个子巴伦间的凹槽向上;
差分射频电路,用于将输入巴伦输出的平衡射频信号进行放大;
输出巴伦,用于通过两个子巴伦将该差分射频电路输出的平衡射频信号转换为不平衡输出,该输出巴伦的第三子巴伦、第四子巴伦也平行放置且两个子巴伦间的凹槽向下;
其中,第一子巴伦、第二子巴伦的对称轴与第三子巴伦、第四子巴伦的对称轴重叠,所述差分射频电路置于该第一子巴伦、第二子巴伦间向上的凹槽与该第三子巴伦、第四子巴伦间向下的凹槽围成的中间区域,该第一子巴伦、第二子巴伦的上缘与第三子巴伦、第四子巴伦的下缘充分靠近。
2.如权利要求1所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该单端信号RFIN由该输入巴伦的第一子巴伦不平衡输入侧的一端输入,经过该第一子巴伦不平衡侧输入线圈后从第一子巴伦不平衡输入侧的另一端输出,该输出再从输入巴伦的第二子巴伦不平衡侧的一端进入第二子巴伦不平衡侧输入线圈后接地。
3.如权利要求2所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该射频单端信号RFIN经该输入巴伦的不平衡侧电感耦合至该输入巴伦的平衡侧电感,该第一子巴伦的平衡输出侧的一端和第二子巴伦的平衡输出侧的一端接地,该第一子巴伦与第二子巴伦的平衡输出侧的另一端连接至该差分射频电路。
4.如权利要求3所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该差分射频电路包括第一级差分放大电路、第二级差分放大电路以及第一隔直电容、第二隔直电容。
5.如权利要求4所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该第一子巴伦的平衡输出侧的另一端连接至该第一隔直电容的一端,该第二子巴伦的平衡输出侧的另一端连接至该第二隔直电容的一端。
6.如权利要求5所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该第一级 差分放大电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻,该第一隔直电容、第二隔直电容的另一端分别连接至该第一NMOS管、第二NMOS管栅极,该第一NMOS管、第二NMOS管的栅极分别通过第一偏置电阻、第二偏置电阻连接至第一偏置电压,该第一NMOS管、第二NMOS管源极接地,该第一NMOS管、第二NMOS管的漏极分别连接至该第二级差分放大电路。
7.如权利要求6所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该第二级差分放大电路包括第三NNOS管、第四NMOS管、第三偏置电阻、第四偏置电阻,该第一NMOS管、第二NMOS管的漏极分别连接至该第三NNOS管、第四NMOS管的源极,该第三NMOS管、第四NMOS管的栅极分别通过第三偏置电阻、第四偏置电阻连接至第二偏置电压,该第三NMOS管、第四NMOS管的漏极分别连接至输出巴伦的两个子巴伦的一端。
8.如权利要求7所述的一种低成本射频差分放大器,其特征在于:该输出巴伦的第三、第四子巴伦平衡侧的另一端连接至电源,射频信号经该输出巴伦的平衡侧电感耦合至输出巴伦的不平衡侧电感,并从输出巴伦的不平衡侧的一端输出放大后的射频信号,该输出巴伦的不平衡侧的另一端接地。
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