[发明专利]晶体振子

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用了2次旋转切割的晶体片的晶体振子。

背景技术

已知有使用了2次旋转切割的晶体片的2次旋转晶体振子，所述2次旋转切割的晶体片是将晶体与X′轴及Z′轴平行地切断而形成，所述X′轴是使作为晶体的结晶轴的X轴以作为结晶轴的Z轴为中心而旋转φ度所得，所述Z′轴是使Z轴以X′轴为中心而旋转θ度所得。专利文献1中，例如示出φ约为22度、θ约为34度的SC切割的晶体振子。此种2次旋转晶体振子比起AT切割晶体振子而热冲击特性良好，且在80℃左右的相对高的温度下显示出零温度系数，因而例如收纳在加热到80℃左右的一定温度的恒温槽内而作为稳定度高的晶体振荡器使用。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平5-243890号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，如专利文献1所示的2次旋转晶体振子中，存在如下问题，即，轮廓系、弯曲系副振动与主振动耦合，而容易产生由温度变化引起的急峻的频率变化及晶体阻抗(crystal impedance，简称：CI)的变化。而且，2次旋转晶体振子与AT切割的晶体振子彼此的振动模式不同，因而，难以直接将AT切割的晶体振子的技术用于2次旋转晶体振子来抑制副振动。

因此，本发明的目的在于，提供抑制副振动与主振动的耦合且将CI值抑制得低的晶体振子。

[解决问题的技术手段]

第一观点的晶体振子包括：晶体片，具有与X′轴及Z′轴平行的一对主面，所述X′轴是使作为晶体的结晶轴的X轴以作为晶体的结晶轴的Z轴为中心而在15度至25度的范围内旋转所得，所述Z′轴是使Z轴以X′轴为中心而在33度至35度的范围内旋转所得；以及激振电极，形成于晶体片的各主面。在各主面，形成着比主面的外周突出且形成为椭圆形状(向晶体片的厚度方向突出且平面形状形成为椭圆形状)的台面部或比主面的外周凹陷且形成为椭圆形状(向晶体片的厚度方向凹陷且平面形状形成为椭圆形状)的逆台面部。

第二观点的晶体振子如第一观点，椭圆形状的长轴沿相对于X′轴延伸的方向为-5度至+15度的范围的方向延伸。

第三观点的晶体振子如第一观点，椭圆形状的长轴沿相对于Z′轴延伸的方向为±5度的范围的方向延伸。

第四观点的晶体振子如第一观点至第三观点，所述晶体片形成为1条对角线处于相对于Z′轴为±10°的范围的正方形或长方形，或者1条边处于相对于所述Z′轴为±10°的范围的正方形或长方形(其中，正方形、长方形也包括晶体片的角部为R状等的大致正方形、大致长方形)。另外，此处叙述为±10°的理由是，如果处于该范围，则能够选择如下晶体片，即，将本发明提及的激振电极配置于特定的位置之后，进而能够减小支撑晶体片时的影响且容易进行晶体片的加工。

第五观点的晶体振子如第一观点至第四观点，长轴与椭圆形状的短轴之比为1.05∶1至2.0∶1的范围。

第六观点的晶体振子包括：晶体片，具有与X′轴及Z′轴平行的一对主面，所述X′轴是使作为晶体的结晶轴的X轴以作为晶体的结晶轴的Z轴为中心而在15度至25度的范围内旋转所得，所述Z′轴是使Z轴以X′轴为中心而在33度至35度的范围内旋转所得；以及激振电极，形成于晶体片的各主面。在各主面，形成着比主面的外周突出的规定形状的台面部或比主面的外周凹陷的规定形状的逆台面部，规定形状为第一椭圆形状与第二椭圆形状合成所得的形状，所述第一椭圆形状的长轴沿相对于X′轴延伸的方向为-5度至+15度的范围的方向延伸，所述第二椭圆形状的长轴沿相对于Z′轴延伸的方向为±5度的范围的方向延伸。

第七观点的晶体振子如第六观点，第一椭圆形状的长轴与短轴之比为1.05∶1至2.0∶1的范围，第二椭圆形状的长轴与短轴之比为1.05∶1至2.0∶1的范围。

第八观点的晶体振子如第一观点至第七观点，各激振电极形成为椭圆形状，激振电极的长轴沿相对于X′轴延伸的方向为-5度至+15度的范围的方向或相对于Z′轴延伸的方向为±5度的范围的方向延伸。

第九观点的晶体振子如第一观点至第七观点，各激振电极形成为第一椭圆形状与第二椭圆形状合成所得的形状，所述第一椭圆形状的长轴沿相对于X′轴延伸的方向为-5度至+15度的范围的方向延伸，所述第二椭圆形状的长轴沿相对于Z′轴延伸的方向为±5度的范围的方向延伸。