[发明专利]集成电路器件和制造其的方法

说明书

如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。

技术领域

本公开的方面涉及集成电路器件，且更具体地，涉及包括场效应晶体管 的集成电路器件。

背景技术

随着电子行业已经被发展，半导体器件已经被快速地小型化。对半导体 器件的高运行速率的需求已经增长，并且具有高精度的半导体器件的操作也 已经是令人满意的。

发明内容

根据本公开的方面的示例实施方式，一种集成电路器件可以包括在器件 间隔离区域的第一部分与第二部分之间的器件区域中的至少一个鳍式有源 区域，该鳍式有源区域可以从器件区域中的基板凸出并且可以在第一方向上 延伸。多个位于器件区域中的内隔离层可以被提供，所述多个内隔离层可以 覆盖至少一个鳍式有源区域的侧壁并且可以在第一方向上延伸，以及外隔离 层可以提供在器件间隔离区域中的外部深沟槽中。所述多个内隔离层中的至 少一个可以从器件区域远离并朝外部深沟槽延伸。

根据本公开的方面的另一示例实施方式，一种集成电路器件可以包括： 在基板的器件区域中并且在第一方向上延伸的鳍式有源区域，在器件区域中 在具有第一深度的沟槽中和在鳍式有源区域的侧壁上的内隔离层，以及在器 件区域周围在具有比第一深度更深的第二深度的外部深沟槽中并且接触内 隔离层的外隔离层。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离 延伸。外隔离层可以具有接触内隔离层的倾斜侧壁，并且倾斜侧壁可以是倾 斜的使得鳍式有源区域与外隔离层的倾斜侧壁之间的距离随着倾斜侧壁越 靠近基板而越短。

根据本公开的方面的另一示例实施方式，一种制造集成电路器件的方法 可以包括：蚀刻包括器件区域和器件间隔离区域的基板的一部分以形成在第 一方向上延伸的多个第一鳍式有源区域和多个第二鳍式有源区域，多个第一 鳍式有源区域在器件区域中以及多个第二鳍式有源区域在器件间隔离区域 中；在多个第一鳍式有源区域和多个第二鳍式有源区域的侧壁上形成多个内 隔离层；蚀刻器件间隔离区域中的多个内隔离层和多个第二鳍式有源区域以 在器件间隔离区域中形成外沟槽使得多个第二鳍式有源区域中的一个鳍式 有源区域的至少一个鳍式部分在蚀刻之后留在器件间隔离区域中；将蚀刻之 后留在器件间隔离区域中的至少一个鳍式部分转变成至少一个鳍式绝缘部 分；在外沟槽中形成外间隙填充绝缘层；以及去除器件区域中的多个内隔离 层的一部分以在器件区域中暴露多个第一鳍式有源区域的上部部分。

根据本公开的方面的另一示例实施方式，提供一种集成电路器件。集成 电路器件可以包括在基板上的器件区域，其中器件区域在隔离区域的第一部 分与第二部分之间。集成电路器件可以在器件区域中包括多个鳍式有源区 域，并且每一个鳍式有源区域可以包括侧壁，每个侧壁可以在其上具有来自 多个内隔离层中的相应的内隔离层。集成电路器件可以包括在隔离区域中的 外沟槽中的外隔离层。多个鳍式有源区域可以包括最外面的鳍式有源区域， 该最外面的鳍式有源区域可以对应于内隔离层中的最外面的一个内隔离层。内隔离层中的最外面的一个内隔离层可以从器件区域远离延伸进隔离区域 中。

附图说明

图1A是示出根据一示例实施方式的集成电路器件的基本构造的布局图。 图1B是沿图1A的线B-B'截取的剖面图。

图2是示出根据一示例实施方式的集成电路器件的剖面图。

图3是示出根据一示例实施方式的集成电路器件的剖面图。

图4是示出根据一示例实施方式的集成电路器件的剖面图。