[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制备方法在审
申请号: | 201710245284.4 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN108735775A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 胡锐钦 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 钟宗;夏彬 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 像素电极层 栅电极层 制备 薄膜晶体管层 源/漏电极 显示装置 电极 基板 掩膜 薄膜晶体管 公共电极层 像素定义层 多个电容 生产过程 像素电极 制备过程 制造成本 制造工艺 有机层 电容 良率 背离 制造 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,位于所述基板的一侧,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅电极层和源/漏电极层;
像素电极层,位于所述栅电极层和所述源/漏电极层之间或位于所述薄膜晶体管层背离所述基板的一侧,所述像素电极层包括多个像素电极和多个电容电极;
像素定义层,位于所述薄膜晶体管层和所述像素电极层背离所述基板的一侧,所述像素定义层包括多个与所述像素电极一一对应的第一开口,所述第一开口中设置有一有机层,且所述有机层通过所述第一开口与所述像素电极接触;
公共电极层,位于所述像素定义层和所述有机层背离所述薄膜晶体管层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极层位于所述栅电极层和所述源/漏电极层之间,所述栅极层还包括多个电容第一电极,所述像素电极层包括的电容电极为与所述电容第一电极一一对应的电容第二电极。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括:
有源层,位于所述基板的一侧;
栅电极层,位于所述有源层背离所述基板的一侧;
源/漏电极层,位于所述栅电极层背离所述有源层的一侧;
所述像素电极层位于所述栅电极层和所述源/漏电极层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一绝缘层,位于所述有源层与所述栅电极层之间;
第二绝缘层,位于所述栅电极层与所述像素电极层之间。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:
层间绝缘层,位于所述像素电极层与所述源/漏电极层之间,所述层间绝缘层包括多个与所述第一开口一一对应的第二开口,且所述第一开口在所述基板上的正投影与所述第二开口在所述基板上的正投影交叠。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口在所述基板上的正投影落入所述第二开口在所述基板上的正投影的范围内。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述层间绝缘层还包括多个与所述像素电极一一对应的第一接触孔,所述源/漏电极层通过所述第一接触孔连接至所对应的像素电极。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板的一侧形成一薄膜晶体管层和像素电极层,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅电极层和源/漏电极层,所述像素电极层形成于所述栅电极层和所述源/漏电极层之间,或形成于所述薄膜晶体管层背离所述基板的一侧,且所述像素电极层包括多个像素电极和多个电容电极;
在所述薄膜晶体管层和所述像素电极层背离所述基板的一侧形成一像素定义层,所述像素定义层包括多个与所述像素电极一一对应的第一开口;
在所述第一开口中形成一有机层,且所述有机层通过所述第一开口与所述像素电极接触;
在所述像素定义层和所述有机层背离所述薄膜晶体管层的一侧形成一公共电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的