[发明专利]一种稻草人形N电极及垂直结构LED芯片

权利要求书

1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，由下至上依次包括p电极保护层、反射层、电流阻挡层、外延层及稻草人形N电极；

所述电流阻挡层的形状与稻草人形N电极的形状构成相似图形，所述电流阻挡层的尺寸比稻草人形N电极的尺寸大18％～25％；

所述电流阻挡层的制备方法如下：利用PECVD在P-GaN表面先生长一层SiO₂，再用正胶光刻板保护住与稻草人形N电极图案相对应部分的SiO₂，将其余的SiO₂用BOE腐蚀液腐蚀掉，SiO₂与P-GaN形成肖特基接触，形成高势垒区，形成电流阻挡层；

所述稻草人形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；

所述边缘多边形插指为正方形插指或八边形插指；

所述中心区域插指由一根垂直插指和两根平行插指组成；所述中心区域插指和焊盘相连组成稻草人形插指，所述稻草人形插指位于边缘多边形插指内部，所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连，与垂直插指底部相连；

所述稻草人形插指整体呈左右对称结构，所述垂直插指位于边缘多边形插指的左右对称轴上，顶端与焊盘相接，并与焊盘长边垂直，底端与边缘多边形插指相接；所述两根平行插指相互平行，分别位于边缘多边形插指的上下对称轴两侧，所述两根平行插指到上下对称轴的距离相等；所述两根平行插指分别与垂直插指垂直相交，其长边与焊盘长边平行；

所述p电极保护层由下至上依次包括种子层、键合层、掺杂硅衬底层、防氧化层；

所述插指的宽度范围为4μm～11μm。

2.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述外延层由下至上依次包括P-GaN、量子阱和N-GaN。