[发明专利]微波电耦合结构及其实现方法有效

专利信息
申请号: 201710245540.X 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN108736112B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 梅迪;朱其玉;喻鸿飞;冯昀;罗旭荣 申请(专利权)人: 上海诺基亚贝尔股份有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 北京启坤知识产权代理有限公司 11655 代理人: 赵晶
地址: 201206 上海市中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 微波 耦合 结构 及其 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种微波电耦合结构,包括第一基片集成波导和第二基片集成波导,所述第一基片集成波导包括无金属通孔的开放边界以及具有金属通孔的过孔边界,所述第二基片集成波导包括无金属通孔的开放边界以及具有金属通孔的过孔边界,

其中,所述第一基片集成波导的所述开放边界与所述第二基片集成波导的所述开放边界相互靠近;和/或

所述第一基片集成波导的所述过孔边界与所述第二基片集成波导的所述过孔边界相互远离;

其中,所述微波电耦合结构还包括:

位于所述第一、第二基片集成波导的相互靠近但不相连的两个开放边界附近的平面电容,所述平面电容的全部或部分位于所述两个开放边界之间,所述平面电容的位置在从开放边界中点到距离过孔边界不少于三分之一的范围内。

2.根据权利要求1所述的微波电耦合结构,其中所述平面电容包括交指电容。

3.根据权利要求1所述的微波电耦合结构,还包括:

位于所述第一、第二基片集成波导的相互靠近的所述开放边界处的金属槽或金属通孔槽,所述金属槽或金属通孔槽位置在从所述相互靠近的开放边界与所述过孔边界的相接处,到不超过所述开放边界中点的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微波电耦合结构,其中所述第一基片集成波导包括半模基片集成波导或四分之一模基片集成波导,所述第二基片集成波导包括半模基片集成波导或四分之一模基片集成波导。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的微波电耦合结构,其中所述第一基带集成波导的金属顶层图案为矩形、三角形和扇形中的任一项,所述第二基带集成波导的金属顶层图案为矩形、三角形和扇形中的任一项。

6.一种实现微波电耦合结构的方法,包括:

提供第一基片集成波导和第二基片集成波导,其中所述第一基片集成波导包括无金属通孔的开放边界和具有金属通孔的过孔边界,所述第二基片集成波导包括无金属通孔的开放边界和具有金属通孔的过孔边界,所述方法包括:

将所述第一基片集成波导的所述开放边界和所述第二基片集成波导的所述开放边界相互靠近;和/或

将所述第一基片集成波导的所述过孔边界和所述第二基片集成波导的所述过孔边界相互远离;

其中,该方法还包括:

在所述第一、第二基片集成波导的相互靠近但不相连的两个开放边界附近布置平面电容,所述平面电容的全部或部分位于所述两个开放边界之间,所述平面电容的位置在从开放边界中点到距离过孔边界不少于三分之一的范围内。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述平面电容包括交指电容。

8.根据权利要求6所述的方法,还包括:

在所述第一、第二基片集成波导的相互靠近的所述开放边界处布置金属槽或金属通孔槽,所述金属槽或金属通孔槽位置在从所述相互靠近的开放边界与所述过孔边界的相接处,到不超过所述开放边界中点的范围内。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其中所述第一基片集成波导包括半模基片集成波导或四分之一模基片集成波导,所述第二基片集成波导包括半模基片集成波导或四分之一模基片集成波导。

10.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其中所述第一基带集成波导的金属顶层图案为矩形、三角形和扇形中的任一项,所述第二基带集成波导的金属顶层图案为矩形、三角形和扇形中的任一项。

11.通信系统中的网络设备或终端设备,其中包括如权利要求1至5中任一项所述的微波电耦合结构。

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