[发明专利]一种双地槽平行微带线90度相位移相器

权利要求书

1.一种双地槽平行微带线90度相位移相器，采用工艺130nm SiGe BiCMOS；包括地金属层和顶层金属层，输入、输出端口，电介质层和衬底层，其特征在于，还包括地金属层中心设置一条底层金属传输线，同时在顶层金属层上设置一条平行对称的顶层金属传输线；底层金属传输线与顶层金属传输线中心设置有180度相位反相器；地金属层上以底层金属传输线中线为轴设置两平行对称沟槽，输入端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的左端连接，输出端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的右端连接；电介质层包围在地金属层和顶层金属层的底部和外围，衬底层设置于电介质层底部。

2.如权利要求1所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，180度相位反相器包括分别在底层金属传输线和顶层金属传输线的中心所开的反向对称的Z型沟槽，且Z型沟槽拐角处各开有一个通孔。

3.如权利要求1所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，平行对称沟槽与底层金属传输线两侧各有一条分隔线，分隔线中心处开有通孔。

4.如权利要求2所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，反向对称的Z型沟槽宽度均为2um，通孔直径均为3um。

5.如权利要求2所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，180度相位反相器左侧和右侧的两段顶层金属传输线和两段底层金属传输线等长，且长度为中心频率的八分之一波长。

6.如权利要求3所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，两对称沟槽的槽宽为17um,长为190um，分隔线宽为2um,分隔线中心的通孔是边长为2um的正方形。

7.如权利要求1所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，顶层金属层厚度为3um，地金属层厚度为0.54um，顶层金属层和地金属层间距为9.77um。

8.如权利要求5所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，在工作频率处，两段顶层金属传输线和两段底层金属传输线长度均为85um，宽度均为26.4um。

9.如权利要求1所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，电介质层高度起于距离地金属层下表面0.64um处，止于顶层金属层上表面，电介质底部长度和宽度与地金属层相同；电介质层厚度为13.83um，电介质层相对介电常数为4.1；衬底层厚度为750um，相对介电常数为11.9，电导率为2S/m；衬底层长度和宽度与地金属层相同。

10.如权利要求1所述的双地槽平行微带线90度相位移相器，其特征在于，工艺130nm SiGe BiCMOS，包括5层薄金属、2层厚金属和一个MIM层。