[发明专利]一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法

权利要求书

1.一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，其特征在于：通过化学气相沉积法在不具有石墨烯生长催化作用的绝缘衬底上直接生长石墨烯；

S1将带有300nm二氧化硅层的硅片洗净后，光刻—溅射—剥离制备钛铂电极，钛铂的厚度分别为15nm和100nm；

S2通过光刻—溅射—剥离镀一层60nm厚的铜薄膜，溅射功率为400W；

S3采用垂直冷壁式CVD设备制备石墨烯，温度为960℃，甲烷流量30sccm，氢气流量20sccm，气压6mbar，生长时间5min，在铜薄膜上生长出一层石墨烯薄膜；

S4保持这个温度与气体流量不变，持续退火，使铜完全挥发干净，石墨烯最终会落在衬底上，得到石墨烯场效应晶体管器件。

2.根据权利要求1所述的一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，其特征在于：石墨烯生长所需的气体是甲烷、氢气和氩气。

3.根据权利要求1所述的一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，其特征在于：石墨烯生长完成后对铜薄膜退火的温度是960℃。

4.根据权利要求1所述的一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，其特征在于：直接生长石墨烯的器件的制备是先做好电极后，再直接生长石墨烯。

5.根据权利要求1所述的一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，其特征在于：直接生长石墨烯的器件的电极材料是钛铂电极，或是CVD生长的石墨电极。