[发明专利]掩模图案的制作方法

说明书

本发明公开一种掩模图案的制作方法，先在基底上形成多个掩模，在掩模之间分别定义出至少一较宽沟槽和一较窄沟槽，接着形成一掩模材料填入较宽沟槽和较窄沟槽，在较宽沟槽正上方的掩模材料上表面较在较窄沟槽正上方的掩模材料上表面低，然后在较宽沟槽正上方的掩模材料上设置光致抗蚀剂，然后蚀刻掩模材料，在蚀刻的同时上表面较低的掩模材料被保护。

技术领域

本发明涉及一种掩模图案的制作方法，特别是涉及在形成掩模图案的过程中避免在较宽沟槽的位置发生过蚀刻的方法。

背景技术

半导体集成电路工业已历经快速发展的阶段。集成电路材料以及设计在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。

为了实现这样的进展，集成电路加工和制造上也需要有相同的进步，光刻制作工艺是整个半导体制作流程中很重要的一个关键程序，而光刻制作工艺中很重要的一个关键问题就是缩小关键尺寸(Critical Dimension；CD)。为了突破来自光源的波长的固有解像度的极限，业界发展出侧壁图案转移(Sidewall Image Transfer,SIT)技术，一般来说，侧壁图案转移技术的实施方式通常是先于基板上形成多个牺牲图案，且该些牺牲图案的尺度大于光学光刻的最小曝光极限。接着利用沉积及蚀刻制作工艺，在牺牲图案的侧壁形成间隙壁。由于间隙壁的尺寸小于光学光刻的曝光极限，因此可利用去除间隙壁后，形成蚀刻基板的掩模，进一步将间隙壁的图案转移至基板内。

然而，此方式在经常会发生在图案转移过程中伤害到牺牲图案的侧壁上的间隙壁的问题，损坏了后续掩模的图案。

发明内容

因此，尚需要一种掩模图案的制作方法以克服上述缺点。

根据本发明的优选实施例，一种掩模图案的制作方法，包含提供一基底，基底上覆盖一第一材料层，至少二个第一掩模和二个第二掩模设置于第一材料层上，在两个第一掩模之间定义出一第一沟槽，在两个第二掩模间定义出一第二沟槽，其中第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度，接着形成一第二材料层顺应地覆盖第一沟槽和第二沟槽，一第一掩模材料填入第一沟槽并且凸出于第一沟槽、第一掩模材料填入第二沟槽并且凸出于第二沟槽，一第二掩模材料覆盖第一掩模材料，之后形成一第三掩模材料覆盖位于第一沟槽的正上方的第二掩模材料，曝露出位于第二沟槽正上方的第二掩模材料，然后以第三掩模材料为掩模，移除位于第二沟槽正上方的第二掩模材料，接着在移除位于第二沟槽正上方的第三掩模材料后，以第二掩模材料为掩模，薄化位于第二沟槽正上方的第一掩模材料以及薄化位于第一沟槽正上方的第一掩模材料，直至曝露出位于第二沟槽的侧壁上和第一沟槽的侧壁上的第二材料层，接续完全移除第二掩模材料，然后移除接触第一沟槽的侧壁的第二材料层以形成二个第三沟槽，并且移除接触第二沟槽的侧壁的第二材料层以形成二个第四沟槽，最后在形成第三沟槽和第四沟槽后，以第一掩模材料、第一掩模和第二掩模为掩模，移除部分的第一材料层以形成一掩模图案。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1至图6为本发明的优选实施例所绘示的掩模图案的制作方法示意图；

图7是以掩模图案为掩模形成浅沟槽隔离沟槽的方法示意图。

主要元件符号说明

10基底

12第一材料层

14氧化硅层

16非晶硅层

18氮化硅层

20第一掩模

22第二掩模

24第三掩模