[发明专利]半导体器件和制造方法

说明书

本发明提供了半导体器件和制造方法，其中，图案化钝化层。在实施例中，使用相同的蚀刻室去除来自图案化工艺的副产物并且同时去除在图案化工艺中利用的光刻胶。在FinFET器件的制造期间，可以使用这种工艺。

技术领域

本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法。

背景技术

由于集成电路(IC)的发明，各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的反复减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。

然而，仅减小晶体管、二极管、电阻器、电容器等的最小部件尺寸仅仅是试图减小半导体器件的整体尺寸时可以改进的一个方面。目前正在审查的其它方面包括半导体器件的其它方面。用于减小尺寸的这些其它结构的改进正在被研究。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成介电层；图案化位于所述介电层上方的光刻胶；将所述半导体衬底和所述光刻胶放置到蚀刻室；使用蚀刻工艺将所述光刻胶的图案转移至所述介电层；以及在从所述蚀刻室去除所述光刻胶之前去除所述光刻胶。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将光刻胶沉积在衬底上方的介电材料上；图案化所述光刻胶；穿过所述光刻胶蚀刻所述介电材料，其中，蚀刻所述介电材料使用来自第一氧源的氧气作为至少一种反应物；以及在蚀刻所述介电材料之后，去除所述光刻胶，其中，去除所述光刻胶使用来自所述第一氧源的氧气。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：图案化光刻胶以暴露介电材料并且形成图案化的光刻胶；穿过所述图案化的光刻胶干蚀刻所述介电材料；直接在干蚀刻所述介电材料之后，实施衬垫去除工艺；以及直接在所述衬垫去除工艺之后，灰化所述光刻胶，其中，所述干蚀刻、所述衬垫去除工艺和所述灰化均在单个蚀刻室内实施。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的具有第一钝化层和第二钝化层的半导体器件。

图2示出了根据一些实施例的可以用于图案化第二钝化层的蚀刻室。

图3A至图3B示出了根据一些实施例的来自蚀刻工艺的副产物的去除。

图4至图18C示出了根据一些实施例的可以利用的FinFET工艺以及第二钝化层的图案化。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。