[发明专利]改善顶层金属层的黏附强度的方法有效
| 申请号： | 201710249090.1 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107086174B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 顶层 金属 黏附 强度 方法 | ||
1.一种改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在由氧化硅组成的最顶层的层间膜的表面形成顶层金属层，对所述顶层金属层进行图形化形成多个顶层金属层图形块；
步骤二、沉积钝化层，所述钝化层覆盖在各所述顶层金属层图形块的顶部表面、侧面和各所述顶层金属层图形块之间的所述层间膜表面；控制所述钝化层的厚度使所述钝化层在各所述顶层金属层图形块的侧面不形成针孔；
步骤三、沉积第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖在所述钝化层表面；
步骤四、去除各所述顶层金属层图形块的顶部表面的所述钝化层表面的所述第二氧化硅层，各所述顶层金属层图形块的整个侧面或底部侧面的所述第二氧化硅层保留，各所述顶层金属层图形块之间的所述钝化层表面的所述第二氧化硅层保留，通过所保留的所述第二氧化硅增加各所述顶层金属层图形块和底部的所述层间膜的粘附力。
2.如权利要求1所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：所述顶层金属层的材料为铝。
3.如权利要求1所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：所述钝化层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：步骤四包括如下分步骤：
步骤41、涂布一层底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层将各所述顶层金属层图形块之间的区域进行底部填充或完全填充；
步骤42、以所述钝化层为终止层进行全面回刻工艺去除各所述顶层金属层图形块的顶部表面的所述钝化层表面的所述第二氧化硅层；各所述顶层金属层图形块的整个侧面或底部侧面的所述第二氧化硅层以及各所述顶层金属层图形块之间的所述钝化层表面的所述第二氧化硅层在所述底部抗反射涂层的保护下而保留；
步骤43、去除所述底部抗反射涂层。
5.如权利要求1所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：步骤三中沉积的所述第二氧化硅层的厚度为各所述顶层金属层图形块的高度的1/3～1/2。
6.如权利要求1所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：步骤四之后还包括进行背面工艺。
7.如权利要求6所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：所述背面工艺包括胶带粘贴工艺以及去胶带工艺。
8.如权利要求6或7所述的改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于：所述背面工艺包括背面研磨工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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