[发明专利]一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺在审

申请号：	201710250474.5	申请日：	2017-04-17
公开（公告）号：	CN106927689A	公开（公告）日：	2017-07-07
发明（设计）人：	兰林锋;王磊;彭俊彪	申请（专利权）人：	华南理工大学
主分类号：	C03C17/23	分类号：	C03C17/23;H01L29/786
代理公司：	北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350	代理人：	赵蕊红
地址：	510640 广***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺
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【权利要求书】：

1.一种氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：薄膜成分为M_2xIn_2-2xO_3-δ，且不含Zn和Sn，其中M为元素周期表中的ⅢB族元素，0.001≤x≤0.3，0≤δ＜3，其特征在于：采用In盐和M盐的水溶液作为前驱体溶液进行水解反应，再对水解反应后的溶液进行成膜，成膜后在温度不高于300摄氏度的条件下退火制备而成。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：水溶液的溶质为硝酸盐、氯化物、氢氧化物或者高氯酸盐中的一种。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：水溶液的溶质同时包含硝酸盐和高氯酸盐。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：水溶液的溶质为硝酸盐、氯化物、氢氧化物中的至少两种物质；或者

水溶液的溶质为高氯酸盐、氯化物、氢氧化物中的至少两种物质。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：水溶液中不含碳元素。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：所述ⅢB族元素为Sc、Y、Ac、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu中的一种或任意两种以上组合的元素；

M_2xIn_2-2xO_3-δ的制备具体以硝酸铟、氯盐铟或者高氯酸铟的水溶液为前驱体溶液、与以Sc、Y、Ac、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu中的一种或任意两种以上的元素的硝酸盐、氯盐或者高氯酸盐的水溶液为前驱体溶液进行水解反应。

7.根据权利要求6所述的一种氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：所述ⅢB族元素为Nd或Sc。

8.根据权利要求7所述的一种氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：退火温度不高于230摄氏度。

9.根据权利要求8所述的一种氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：所述前驱体溶液为氯盐时，配合紫外光或等离子体处理，并进行退火，退火温度小于200摄氏度；

退火的气氛气体为空气或者惰性气体。

10.一种氧化物半导体薄膜，其特征在于：通过如权利要求1至9任意一项所述的制备工艺制备而成，用于作为薄膜晶体管的沟道层。