[发明专利]八畴像素结构

权利要求书

1.一种八畴像素结构，其特征在于，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成，该次区存储电极及第二主区存储电极跨过扫描线相互导通；该主区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接第一主区存储电极或主区的像素电极；该次区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接次区存储电极或次区的像素电极。

2.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区和次区各自对应四个畴的液晶分子。

3.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述第一主区存储电极经由过孔与主区的像素电极相连接。

4.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述次区存储电极经由过孔与次区的像素电极相连接。

5.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述第一主区存储电极，次区存储电极及第二主区存储电极通过同一金属层制作。

6.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区薄膜晶体管的栅极，次区薄膜晶体管的栅极，以及扫描线通过同一金属层制作。

7.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区薄膜晶体管的源极和漏极，次区薄膜晶体管的源极和漏极，以及数据线通过同一金属层制作。

8.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区和次区的像素电极由氧化铟锡制成。

9.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，其为PSVA像素。