[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：

形成绝缘沟槽结构，所述绝缘沟槽结构包括从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的绝缘材料，其中绝缘沟槽结构横向围绕半导体衬底的部分；以及

修改半导体衬底的横向围绕部分以形成包括合金材料的垂直导电结构，其中合金材料是半导体衬底材料和至少一种金属的合金。

2.根据权利要求1的方法，其中修改半导体衬底的横向围绕部分包括形成导电层，所述导电层包括在半导体衬底的至少横向围绕部分上的至少一种金属。

3.根据权利要求1的方法，其中修改半导体衬底的横向围绕部分包括退火半导体衬底以形成合金材料。

4.根据权利要求1的方法，其中至少一种金属包括选自包括金、铝、铂和钛的材料组的至少一种材料。

5.根据权利要求1的方法，其中形成绝缘沟槽结构包括：形成从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的垂直沟槽，以及在垂直沟槽中形成绝缘材料。

6.根据权利要求1的方法，还包括在半导体衬底的表面上形成掩膜结构，其中在修改半导体衬底的横向围绕部分期间，半导体衬底的横向围绕部分未被掩膜结构覆盖。

7.根据权利要求6的方法，其中掩膜结构包括绝缘材料。

8.根据权利要求2的方法，还包括在半导体衬底的至少横向围绕部分上形成半导体材料层，所述半导体材料层包括半导体衬底材料，其中导电层形成在半导体材料层上。

9.根据权利要求8的方法，其中半导体材料层的横向表面积是半导体衬底的横向围绕部分的横向表面积的至少10倍。

10.根据权利要求8的方法，其中修改半导体材料层以形成与垂直导电结构的合金材料相同的合金材料。

11.根据权利要求10的方法，还包括形成导电接触焊盘，所述导电接触焊盘包括修改的半导体材料层的至少部分。

12.根据权利要求1的方法，其中绝缘沟槽结构在半导体衬底的顶视图中具有环形形状或矩形形状。

13.根据权利要求1的方法，其中半导体衬底材料包括硅。

14.根据权利要求1的方法，还包括：

形成第二绝缘沟槽结构，所述第二绝缘沟槽结构包括从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的绝缘材料；以及

修改横向位于第二绝缘沟槽结构和第一绝缘沟槽结构的至少部分之间的半导体衬底的第二部分以形成第二垂直导电结构。

15.根据权利要求14的方法，其中第二绝缘沟槽结构横向围绕第一绝缘沟槽结构以形成同轴信号线。

16.根据权利要求14的方法，还包括：

形成横向围绕第二绝缘沟槽结构的第三绝缘沟槽结构以形成三轴信号线。

17.一种半导体器件，包括：

从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面的垂直导电结构；

其中垂直导电结构包括半导体衬底的半导体衬底材料和金属的合金材料，

其中半导体衬底材料的原子百分比含量大于合金材料的30％。

18.根据权利要求17的半导体器件，其中至少一种金属包括选自包括金、铝、铂和钛的材料组的至少一种材料。

19.根据权利要求17的半导体器件，其中绝缘材料位于半导体衬底和垂直导电结构之间。

20.根据权利要求17的半导体器件，其中垂直导电结构的垂直高度是至少30μm。

21.根据权利要求17的半导体器件，其中垂直导电结构的最小横向尺寸是至少500nm。