[发明专利]用于控制磁阻式随机存取存储器器件切换的方法

权利要求书

1.一种用于对磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件编程的方法，所述方法包括：

在写入感测电路中将编程电流或编程电压传递给磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件，其中所述写入感测电路产生与所述磁阻式随机存取存储器器件上的电压或流经所述磁阻式随机存取存储器器件的电流相对应的写入感测信号；

提供与期望磁状态相对应的一组标准；

使用状态估计器确定所述磁阻式随机存取存储器器件的状态的估计值；以及

如果估计的状态已经满足该组标准，则停止将所述电流或所述电压传递给所述磁阻式随机存取存储器器件，

其中确定所述状态的估计值包括：

施加所述写入感测信号的突发模式提取技术，所述突发模式提取技术包括：

产生具有与自由层在P和AP状态之间振荡的频率相匹配的频率的检测信号；以及

产生与磁化在P和AP状态之间振荡的相位一致的相位信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述写入感测信号被提供到感测放大器中，并且被衰减，进行写入操作时的读取中具有一个衰减值，且写入操作之后的读取中具有不同衰减值或非衰减值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述写入感测信号被测量多于零次，并且所提供的电流或电压在所述磁阻式随机存取存储器单元达到所述期望磁状态之前或之时被关断。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述写入感测信号在第一时刻大于一个阈值，并且所述写入感测信号在第二时刻小于第二阈值。

5.根据权利要求1所述的方法，其中控制器在状态估计器和写入驱动器之间通信，以控制将电流或电压传递给所述磁阻式随机存取存储器器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述控制器确定所述磁阻式随机存取存储器器件上的电流或电压是否超过阈值。

7.根据权利要求1所述的方法，其中满足所述标准相当于所述磁阻式随机存取存储器器件中的自由层的磁化从第一状态切换到第二状态。

8.一种用于控制磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件切换的方法，所述方法包括：

将电流传递给所述磁阻式随机存取存储器器件，其中产生与流经所述磁阻式随机存取存储器器件的电流相对应的写入感测信号，并且其中所述磁阻式随机存取存储器器件处于第一状态；

使用电阻检测器实时测量所述磁阻式随机存取存储器器件上的压降，其中压降超过阈值电压相当于从第一状态切换到第二状态，所述第一状态不同于所述第二状态；

确定所述磁阻式随机存取存储器器件是否已经从所述第一状态切换到所述第二状态；以及

停止将所述电流传递给所述磁阻式随机存取存储器器件，

其中响应于确定所述磁阻式随机存取存储器器件已经从所述第一状态切换到所述第二状态的步骤包括：

确定所述磁阻式随机存取存储器器件上的压降超过阈值，

其中确定所述磁阻式随机存取存储器器件上的压降超过阈值的步骤包括：

施加所述写入感测信号的突发模式提取技术，所述突发模式提取技术包括：

产生具有与自由层在所述第一状态和所述第二状态之间振荡的频率相匹配的频率的检测信号；以及

产生与磁化在所述第一状态和所述第二状态之间振荡的相位一致的相位信号。

9.根据权利要求8所述的方法，其中写入驱动器为所述磁阻式随机存取存储器器件提供所述电流。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

响应于确定所述磁阻式随机存取存储器器件上的压降不超过阈值，连续地为所述磁阻式随机存取存储器器件提供所述电流并且实时测量所述磁阻式随机存取存储器器件上的压降。

11.根据权利要求8所述的方法，其中控制器在所述电阻检测器和写入驱动器之间通信，以控制将电流传递给所述磁阻式随机存取存储器器件。