[发明专利]用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管(100)的方法(200、300、400)，所述方法包括：

在衬底(10)的前侧(101)上提供(201、301、403)为栅极区域(120)定界的第一栅电极(12)；

在所述衬底(10)和所述第一栅电极(12)上提供(202、302、404)第一栅极介电层(13)；

在所述第一栅极介电层(13)上提供(203、303、405)经图案化的金属氧化物半导体层(14)，所述图案化的金属氧化物半导体层(14)为与所述栅极区域(120)的一部分部分地重叠并且延伸超过所述栅极区域(120)的两个相对的边缘的半导体区域(140)定界；

在所述经图案化的金属氧化物半导体层(14)上提供(204、304、406)第二栅极介电层(15)；

提供(205、305、407)第二栅极导电层(16)；

提供(206、306、408)光致抗蚀剂层(21)；

通过执行后侧照明步骤(207a、307a)、前侧照明步骤(207b、307b)和光致抗蚀剂显影步骤(207c、307c)来对所述光致抗蚀剂层(21)进行图案化(207、307、408)，由此形成经图案化的光致抗蚀剂层，其中所述后侧照明步骤(207a、307a)包括使用所述第一栅电极(12)作为掩模来从所述衬底(10)的后侧(102)对所述光致抗蚀剂层(21)的照明，并且其中所述前侧照明步骤(207b、307b)包括仅在边缘部分(162)中使用对所述栅极区域(120)中的所述光致抗蚀剂层(21)进行曝光的掩模(22)来从所述前侧(101)对所述光致抗蚀剂层(21)的照明；

对所述第二栅极导电层(16)进行图案化(208、308、409)，由此形成第二栅电极(161)；以及

对所述第二栅极介电层(15)进行图案化(209、309、409)，由此形成经图案化的第二栅极介电层(151)，

其中所述光致抗蚀剂层(21)包括正性光致抗蚀剂，其中所述第二栅极导电层(16)被提供在所述第二栅极介电层(15)上，并且其中所述光致抗蚀剂层(21)被提供在所述第二栅极导电层(16)上；或者

其中所述光致抗蚀剂层(21)包括负性光致抗蚀剂，其中所述光致抗蚀剂层(21)被提供在所述第二栅极介电层(15)上，并且其中所述第二栅极导电层(16)在已图案化所述光致抗蚀剂层(21)之后被提供在所述光致抗蚀剂层上并且被提供在所述第二栅极介电层(15)上。

2.根据权利要求1所述的方法(200、400)，其特征在于，其中所述光致抗蚀剂层(21)包括正性光致抗蚀剂，并且其中提供(205、407)所述第二栅极导电层(16)在提供(206、308)所述光致抗蚀剂层(12)之前被完成，其中对所述第二栅极导电层(16)进行图案化(208,409)包括使用所述经图案化的光致抗蚀剂层作为掩模来局部蚀刻所述第二栅极导电层(16)，并且其中对所述第二栅极介电层(15)进行图案化(209、409)包括使用所述经图案化的光致抗蚀剂层或所述第二栅电极(161)作为掩模来局部蚀刻所述第二栅极介电层(15)。

3.根据权利要求1所述的方法(300)，其特征在于，其中所述光致抗蚀剂层(21)包括负性光致抗蚀剂，并且其中提供(305)所述第二栅极导电层(16)在对所述光致抗蚀剂层(12)进行图案化(307)之后被完成，其中对所述第二栅极导电层(16)进行图案化(308)包括执行剥离工艺，并且其中对所述第二栅极介电层(15)进行图案化(309)包括使用所述第二栅电极(161)作为掩模来局部蚀刻所述第二栅极介电层(15)。

4.根据权利要求1所述的方法(200、300、400)，其特征在于，所述边缘部分(162)位于所述栅极区域(120)的与所述半导体区域(140)不重叠的部分中。

5.如权利要求1中任一项所述的方法(400)，其特征在于，还包括：在所述经图案化的金属氧化物半导体层(14)中提供(410)源极区域(141)和漏极区域(142)，其中所述源极区域(141)和所述漏极区域(142)被自对准到所述第二栅电极(161)。

6.根据权利要求5所述的方法(400)，其特征在于，提供(410)所述源极区域(141)和所述漏极区域(142)包括用氢进行掺杂。