[发明专利]一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：将缠绕有线圈的非晶丝固定在带有凹槽的硅衬底的凹槽中。

2.一种非晶丝GMI磁传感器的制作方法，其特征在于：具体步骤如下：

步骤一、在硅衬底上氧化一层SiO₂绝缘层；

步骤二、在绝缘层上溅射Cr/Cu金属作为电镀种子层；

步骤三、在种子层上旋涂光刻胶并烘干，得到产物A；

步骤四、在产物A上进行光刻、腐蚀Cr/Cu种子层；

步骤五、采用硅刻蚀(腐蚀)工艺在硅衬底上加工凹槽；

步骤六、去除产物A上的光刻胶；

步骤七、将缠绕有线圈的非晶丝固定在凹槽中，得到产物B；

步骤八、在产物B上旋涂光刻胶并烘干；

步骤九、光刻，暴露出非晶丝两端需要电镀的位置；

步骤十、放入电镀液中进行电镀Cu，直至将非晶丝包裹在Cu焊盘上；

步骤十一、去除产物B表面上的光刻胶；

步骤十二、去除焊盘以外的所有Cr/Cu金属种子层，即得到非晶丝GMI磁传感器。